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중앙에 공동을 구비하고, 절연성 소재로 형성되는 제1케이싱;상기 제1케이싱의 공동 바닥면에 설치되는 발광다이오드 칩;상기 제1케이싱의 하면에 형성되고, 상기 발광다이오드 칩과 접촉하여 상기 발광다이오드 칩의 열을 전달하며, 상기 제1케이싱의 공동 바닥면으로부터 상기 제1케이싱의 하면으로 형성된 홀을 관통하여 상기 발광다이오드 칩과 접촉하는 돌출부를 구비하는 고온부;중앙에 공동을 구비하는 제2케이싱;상기 제2케이싱의 공동에 설치되고, 상기 고온부와 접촉하며, 온도차를 이용하여 전기를 생산하고, 생산된 전기를 외부로 전달하는 제1전달선과 제2전달선을 구비하는 열전발전부;상기 제2케이싱의 홀에 금속을 주입하거나 또는 증착으로 충진시켜 형성되고, 상기 열전발전부와 접촉하는 저온부; 및판 형상으로 일면이 상기 제2케이싱의 하면과 상기 저온부에 결합하는 방열판과, 상기 방열판의 타면에 형성되는 복수 개의 방열핀을 구비하고, 상기 저온부의 온도를 감소시키는 히트싱크부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제2케이싱은, 중앙 부위에 상기 저온부가 형성되고, 상기 저온부의 주위 부위가 절연성 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1케이싱과 상기 제2케이싱의 접합 부위에 형성되고, 상기 제1케이싱으로부터 상기 제2케이싱으로의 열을 차단하는 열차단층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자
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7
청구항 1에 있어서,상기 고온부는, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 철(Fe)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 저온부는, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 철(Fe)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자
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청구항 1의 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자의 제조방법에 있어서, i) 상기 제1케이싱의 공동 바닥면으로부터 상기 제1케이싱의 하면으로 홀을 형성하는 단계;ii) 상기 제1케이싱의 하면에 금속을 증착시켜 돌출부를 구비한 상기 고온부를 형성하는 단계;iii) 상기 제2케이싱의 공동 바닥면으로부터 상기 제2케이싱의 하면으로 홀을 형성하는 단계;iv) 상기 제2케이싱의 홀에 금속을 주입하여 상기 저온부를 형성하는 단계;v) 상기 열전발전부를 상기 제2케이싱의 공동에 인입시켜 상기 저온부와 접촉하도록 설치하는 단계;vi) 상기 제1케이싱과 상기 제2케이싱을 결합시키는 단계; 및vii) 상기 제2케이싱의 하면에 상기 히트싱크부를 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자의 제조방법
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10
청구항 9에 있어서, 상기 ii) 단계에서, 상기 고온부를 형성하기 위한 증착은 열 증착 또는 스퍼터링으로 수행되는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자의 제조방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 ii) 단계에서, 상기 제1케이싱의 하면에서 상기 고온부를 둘러싸도록 열차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자의 제조방법
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중앙에 공동을 구비하고 절연성 소재로 형성되는 제1케이싱, 상기 제1케이싱의 공동 바닥면에 설치되는 발광다이오드 칩, 상기 제1케이싱의 하면에 형성되고 상기 발광다이오드 칩과 접촉하여 상기 발광다이오드 칩의 열을 전달하며 상기 제1케이싱의 공동 바닥면으로부터 상기 제1케이싱의 하면으로 형성된 홀을 관통하여 상기 발광다이오드 칩과 접촉하는 돌출부를 구비하는 고온부, 중앙에 공동을 구비하는 제2케이싱, 상기 제2케이싱의 공동에 설치되고 상기 고온부와 접촉하며 온도차를 이용하여 전기를 생산하고 생산된 전기를 외부로 전달하는 제1전달선과 제2전달선을 구비하는 열전발전부, 상기 제2케이싱의 홀에 금속을 주입하거나 또는 증착으로 충진시켜 형성되고, 상기 열전발전부와 접촉하는 저온부, 및 판 형상으로 일면이 상기 제2케이싱의 하면과 상기 저온부에 결합하는 방열판과, 상기 방열판의 타면에 형성되는 복수 개의 방열핀을 구비하고, 상기 저온부의 온도를 감소시키는 히트싱크부,를 포함하는 발광다이오드 소자;복수 개의 상기 발광다이오드 소자가 결합하는 기판;상기 발광다이오드 소자에 전원을 제공하는 전원부; 및상기 발광다이오드 소자의 자가발전에 의해 생성된 전기인 생성전기를 전달받아 축전하는 축전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자를 구비한 발광다이오드 모듈
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청구항 12에 있어서,상기 발광다이오드 소자는 상기 기판을 관통하여 설치되어, 상기 히트싱크부가 외부에 노출되는 것을 특징으로 하는 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자를 구비한 발광다이오드 모듈
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청구항 12 또는 청구항 13에 의한 열전현상을 이용한 자가발전 발광다이오드 소자를 구비한 발광다이오드 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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