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갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법 |
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| [KST2017006189][한국전자통신연구원] |
전자 소자(ELECTRONICAL DEVICE) |
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| [KST2016017505][한국전자통신연구원] |
쇼트키 다이오드(SCHOTTKY DIODE) |
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| [KST2017013579][한국전자통신연구원] |
고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법(HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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반도체 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME) |
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| [KST2018000096][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 그의 제조 방법(A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME) |
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| [KST2017013468][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE) |
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고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법(HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법(SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME) |
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PN 접합 공핍층 턴넬 트랜지스터 |
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고주파 소자 제조방법 |
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어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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유기 유전박막을 구비한 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 |
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절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 |
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반도체 장치 및 그 제작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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전계 효과 트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR) |
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전자 소자 및 그의 제조 방법(Electronic device and method of fabricating the same) |
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반도체 소자, 및 그 캐리어 농도 조절방법(Semiconductor device and method for controlling concentration of carrier the same) |
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수직 핀 다이오드(VERTICAL PIN DIODE) |
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GaN 트랜지스터 제조 방법 |
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