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하면에 다이어프램 홈이 형성된 하부기판;상기 하부기판 상면에 일면이 결합되는 사각형 형상의 상부기판;상기 상부 기판에 형성되며, 상기 다이어프램 홈에 가해진 힘에 의해 휘어질 수 있는 다이어프램 영역;상기 상부기판의 각 모서리를 기준으로 돌출되어 상기 다이어프램 영역 경계를 기준으로 바깥쪽으로 형성되고 서로 전기적으로 절연되는 4개의 실리콘 블록;상기 다이어프램 영역 안에서 형성되는 제1 실리콘 서브블록 및 상기 실리콘 블록 중 인접한 2개의 실리콘 블록을 전기적으로 연결하도록 상기 제1 실리콘 서브블록으로부터 상기 실리콘 블록까지 연장되는 제1 실리콘 나노와이어를 포함하는 2개의 제1 저항부; 및상기 다이어프램 영역의 경계를 이루도록 상기 다이어프램 영역 밖에 형성되는 제2 실리콘 서브블록 및 상기 실리콘 블록 중 상기 제1 저항부에 의해 전기적으로 연결되지 않은 인접한 2개의 실리콘 블록을 전기적으로 연결하도록 상기 제2 실리콘 서브블록으로부터 상기 실리콘 블록까지 연장되는 제2 실리콘 나노와이어를 포함하는 2개의 제2 저항부;를 포함하고,상기 다이어프램 홈은 상기 다이어프램 영역보다 크게 형성되며,상기 제1 저항부는 상기 실리콘 블록 사이를 상기 제1 실리콘 나노와이어, 상기 제1 실리콘 서브블록, 상기 제1 실리콘 나노와이어 순서대로 연결되어 전기적으로 접속되도록 하고,상기 제2 저항부는 상기 제1 저항부에 의해 전기적으로 연결되지 않은 인접한 2개의 실리콘 블록 사이를 상기 제2 실리콘 나노와이어, 상기 제2 실리콘 서브블록, 상기 제2 실리콘 나노와이어 순서대로 연결되어 전기적으로 접속되도록 하며,상기 제1 저항부는 상기 힘에 의해 휨으로써 저항이 변하는 가변 저항이고,상기 제2 저항부는 상기 다이어프램 영역 경계에 형성된 상기 실리콘 블록의 측벽과 상기 제2 실리콘 서브블록의 측벽에 의해 상기 힘이 상기 제2 실리콘 나노와이어에 전달되지 못하여 상기 제2 실리콘 나노와이어에 휨이 발생되지 않아 저항이 변하지 않는 고정 저항인, 실리콘 나노와이어 압력센서
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 블록, 상기 제1 실리콘 서브블록 및 상기 제2 실리콘 서브블록의 두께는 상기 하부기판의 상기 다이어프램 홈이 형성된 영역의 두께보다 두껍게 형성되는, 실리콘 나노와이어 압력센서
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청구항 2에 있어서,상기 실리콘 블록 사이에는 트렌치가 형성되어 있어, 상기 실리콘 블록이 서로 전기적으로 절연되나 상기 제1 저항부 및 상기 제2 저항부로만 전기적으로 접속되도록 하는, 실리콘 나노와이어 압력센서
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청구항 3에 있어서,상기 제1 실리콘 나노와이어와 상기 제2 실리콘 나노와이어는 동일 길이, 동일 두께 및 동일 폭으로 형성되고, 상기 제1 실리콘 서브블록과 상기 제2 실리콘 서브블록이 동일 길이, 동일 두께 및 동일 폭으로 형성되는, 실리콘 나노와이어 압력센서
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청구항 4에 있어서,상기 실리콘 블록 상에 각각 형성되는 전극을 더 포함하는, 실리콘 나노와이어 압력센서
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제1 실리콘 나노와이어를 포함하는 2개의 제1 저항부 및 제2 실리콘 나노와이어를 포함하는 2개의 제2 저항부가 형성된 사각형 형상의 상부기판을 준비하는 단계;상면으로부터 일정두께의 도핑 영역이 형성된 하부기판을 준비하는 단계;상기 하부기판의 상면과 상기 상부기판의 일면이 결합되는 기판 결합 단계;상기 상부기판의 타면의 안쪽을 식각하여 상기 상부기판의 각 모서리를 기준으로 돌출되어 상기 상부기판 바깥쪽으로 형성되고 서로 전기적으로 단락되는 4개의 실리콘 블록이 형성되며, 상기 실리콘 블록의 측벽에 의해 다이어프램 영역이 규정되는 단계;상기 제1 저항부가 상기 상부기판의 타면으로 노출되도록 식각되면서 제1 실리콘 서브블록이 상기 다이어프램 영역의 안쪽으로 형성되며, 상기 실리콘 블록 사이를 상기 제1 실리콘 나노와이어, 상기 제1 실리콘 서브블록, 상기 제1 실리콘 나노와이어 순서대로 연결되어 전기적으로 접속되도록 상기 상부기판을 식각하는 제1 저항부 형성 단계;상기 제2 저항부가 상기 상부기판의 타면으로 노출되도록 식각되면서 제2 실리콘 서브블록이 상기 다이어프램 영역의 경계를 이루도록 상기 다이어프램 영역 밖에 형성되며, 상기 실리콘 블록 사이를 상기 제2 실리콘 나노와이어, 상기 제2 실리콘 서브블록, 상기 제2 실리콘 나노와이어 순서대로 연결되어 전기적으로 접속되도록 상기 상부기판을 식각하는 제2 저항부 형성 단계; 및상기 하부기판의 하면을 식각하여 상기 다이어프램 영역보다 큰 다이어프램 홈을 형성하는데, 이때 상기 하부기판의 하면을 상기 도핑 영역 부근까지 식각하여 식각 속도가 현저히 줄어드는 일정 조건 만족시 식각을 중지하여 상기 하부기판의 두께가 일정하도록 상기 다이어프램 홈을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 저항부는 상기 다이어프램 홈에 가해진 힘에 의해 휨으로써 저항이 변하는 가변 저항이고,상기 제2 저항부는 상기 다이어프램 영역 경계에 형성된 상기 실리콘 블록의 측벽과 상기 제2 실리콘 서브블록의 측벽에 의해 상기 힘이 상기 제2 실리콘 나노와이어에 전달되지 못하여 상기 제2 실리콘 나노와이어에 휨이 발생되지 않아 저항이 변하지 않는 고정 저항인, 실리콘 나노와이어 압력센서의 제조방법
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청구항 6에 있어서,다이어프램 영역이 규정되는 단계는,상기 실리콘 블록 상에 각각 전극을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 블록이 서로 전기적으로 절연되나 상기 제1 저항부 및 상기 제2 저항부로만 전기적으로 접속되도록 상기 실리콘 블록 사이에 트렌치를 형성시키는 단계;을 더 포함하는, 실리콘 나노와이어 압력센서의 제조방법
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