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적외선 영역의 밴드갭을 갖는 나노소재; 및상기 나노소재 표면에 공유결합으로 결합된 약물; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재
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제1항에 있어서,상기 적외선 영역의 밴드갭은 0
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제1항에 있어서,상기 나노소재는 산화티타늄 나노입자, Si나노입자, Ge 나노입자, InAs 나노입자, InP 나노입자, Ag 산화물 나노입자, 환원된 그래핀 산화물(rGO; reduced graphene oxide), 그래피틱 카본질소 화합물 또는 반도체 양자점(Quantum dot)을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재
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제1항에 있어서,상기 약물은 산성 약물, 염기성 약물, 소수성 약물 또는 친수성 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재
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적외선 영역의 밴드갭을 갖는 나노소재를 준비하는 단계;상기 나노소재 표면에 관능기를 도입하여 표면처리하는 단계; 및상기 관능기에 약물을 화학적 결합하여 상기 나노소재 표면에 약물을 결합시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제5항에 있어서,상기 적외선 영역의 밴드갭은 0
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제5항에 있어서,상기 나노소재는 산화티타늄 나노입자, Si나노입자, Ge 나노입자, InAs 나노입자, InP 나노입자, Ag 산화물 나노입자, 환원된 그래핀 산화물(rGO; reduced graphene oxide), 그래피틱 카본질소 화합물 또는 반도체 양자점(Quantum dot)을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제5항에 있어서,상기 관능기를 도입하여 표면처리하는 단계는 실란(silane), 포스폰산(phosphonic acid) 또는 술폰산(sulfonic acid)을 포함하여 표면처리 하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제5항에 있어서,상기 약물은 산성 약물, 염기성 약물, 소수성 약물 또는 친수성 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제9항에 있어서,상기 산성약물은 이부프로펜, 덱사메타손 소듐 포스페이트, 아세타졸아미드, 아드레날린, 암피실린, 아스코르브산, 아스피린, 바르비톤, 벤질페니실린, 클로르프로파미드, 크로르티아지드, 클로사실린, 도파민, 프루세미드, 레보도파, 메틸도파, 모르핀, 페노바르비톤, 및 페니토인으로 이루어진 군으로부터 선택된것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제9항에 있어서,상기 염기성 약물은 암페타민, 아트로핀, 클로로퀸, 클로르페니라민, 디아제펨, 에페드린, 히드라라진, 이미프라민, 이소프레날린, 카나마이신, 노르아드레날린, 필로카르핀, 및 프로프라놀롤로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소수성 약물은 덱사메타손, 트리암시놀론, 베클로메타손 디프로프리오네이트, 트리암시놀론 아세토니드, 트리암시놀론 디아세테이트, 베타메타손 디프로프리오테이트, 테스토스테론, 부데소니드, 17α-에티닐에스트라디올, 레보노르게스트렐, 플루티카손 프로프리네이트, 소라페닙, 파클리탁셀, 도세탁셀, 시클로스포린 A, 암포테리신 B, 인디나비르, 라파마이신, 독소루비신, 코엔자임 큐 텐, 우루소데옥시콜린산, 일라프라졸, 이마티닙 메실레이트, 및 타네스피마이신으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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13
제9항에 있어서,상기 친수성 약물은 벤드아무스틴 (bendamustine) 또는 젬시타빈 (gemcitabine)을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제5항에 있어서,상기 화학적 결합은 공유결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감응형 반도체 나노소재 제조방법
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제5항에 있어서,상기 화학적으로 결합하여 상기 나노소재 표면에 결합된 약물은 광촉매 반응에 의해 화학적 결합이 파괴되는 것을 특징으로 하는 나노소재 제조방법
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제15항에 있어서,상기 광 촉매의 파장 범위는 0
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지지체 상에 약물 방출층 및 광흡수층이 적어도 1회이상 교대로 반복적층된 구조이고,상기 약물 방출층은 적외선 감응형 반도체 나노소재를 포함하고,상기 광흡수층은 생분해가 가능한 광흡수물질을 포함하고,상기 적외선 감응형 반도체 나노소재는 적외선 영역의 밴드갭을 갖는 나노소재 및 상기 나노소재 표면에 공유결합으로 결합된 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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제17항에 있어서,상기 지지체는 임플란트 또는 의료용 스텐트를 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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제17항에 있어서,상기 적외선 감응형 반도체 나노소재의 적외선 영역의 밴드갭은 0
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제17항에 있어서,상기 적외선 감응형 반도체 나노소재는 산화티타늄 나노입자, Si나노입자, Ge 나노입자, InAs 나노입자, InP 나노입자, Ag 산화물 나노입자, 환원된 그래핀 산화물(rGO; reduced graphene oxide), 그래피틱 카본질소 화합물 또는 반도체 양자점(Quantum dot)을 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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제17항에 있어서,상기 약물 방출층은 상기 적외선 감응형 반도체 나노소재 상에 공유결합으로 결합된 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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22
제17항에 있어서,상기 약물은 산성 약물, 염기성 약물, 소수성 약물 또는 친수성 약물을 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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제17항에 있어서,상기 광흡수층은 폴리아크릴산(poly acrylic acid), 아크릴아마이드(acrylamide), 또는 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol (PEG))을 포함하는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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제17항에 있어서,상기 광흡수층은 적외선 영역의 광이 투과 되지 않는 것을 특징으로 하는 약물 담지체
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