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다중 레벨의 가중치 소자

  • 기술번호 : KST2019009364
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 입력 펄스열의 인가에 따라 전압, 전하량 또는 컨덕턴스를 제어하고, 이를 가중치로 활용할 수 있는 시냅스 소자가 개시된다. 가중치 소자를 구성하는 가중치부는 커패시터 또는 저항 변화층을 가진다. 인가되는 펄스열의 양상에 따라 가중치 소자의 전압 등은 선형적으로 증가하고, 펄스열의 제거 및 접지 동작에 의해 가중치는 자동적으로 소멸된다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01.01)
CPC G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020170166084 (2017.12.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0066400 (2019.06.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유인경 경상북도 포항시 남구
2 황현상 대구광역시 수성구
3 박재성 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-1213263-44
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0522169-12
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0700910-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 단자에 인가되는 제어신호에 따라 온/오프 동작을 수행하는 제어 트랜지스터; 및상기 제어 트랜지스터에 연결되어 펄스열의 입력 신호의 인가에 따라 선형적으로 증가하는 전하량 또는 컨덕턴스를 가지고, 상기 제어 트랜지스터의 상기 입력 전압의 접지에 따른 시정수에 따라 전하량 또는 컨덕턴스가 감소되는 가중치부를 포함하는 다중 레벨 가중치 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 펄스열의 입력 신호의 인가시, 상기 제어 트랜지스터는 턴온되는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 가중치 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 입력 전압의 접지에 따른 전하량의 감소시, 상기 제어 트랜지스터는 턴온되는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 가중치 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 가중치부는 상기 제어 트랜지스터의 소스 단자와 로딩 저항 사이에 연결된 커패시터인 것을 특징으로 하는 다중 레벨 가중치 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 가중치부는 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치된 저항 변화층을 가지는 것을 특징으로 하는 다중 레벨 가중치 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 저항 변화층은 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극 사이에 인가되는 펄스열의 상기 입력 신호에 따른 전하의 트랩 동작에 의해 상기 컨덕턴스가 선형적으로 증가하는 TiOx, SiN4 또는 비정질 Si 인 것을 특징으로 하는 다중 레벨 가중치 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 미래유망융합기술파이오니어사업 뉴로모픽 (NEUROMORPHIC) 소자용 고집적 시냅스 소자 및 집적공정 개발