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변형된 원자층증착방식을 이용한 저저항 TiAlN 전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019009410
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자에 활용되는 TiAlN 전극의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 원자층 증착법(ALD; atomic layer deposition)을 통하여 TiAlN 전극을 형성하는 경우 낮은 비저항을 구현할 수 있는 변현된 ALD 증착법을 이용한 TiAlN 전극에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 TiN 과 AlN을 증착을 위한 서브사이클 (sub-cycle)로 구성된 슈퍼 사이클(super cycle)을 이용하여 ALD법으로 TiAlN 박막 전극을 형성하는 경우, 일반적으로 알루미늄 전구체를 주입하는 단계-퍼지가스를 주입하는 단계-반응물질을 플라즈마와 함께 주입하는 단계-퍼지가스를 주입하는 단계로 구성되는 AlN 서브사이클을 사용하는 대신, 타이타늄 전구체를 주입하는 단계-알루미늄 전구체를 주입하는 단계-퍼지가스를 주입하는 단계-반응물질을 플라즈마와 함께 주입하는 단계-퍼지가스를 주입하는 단계로 구성된 변형된 AlN 서브사이클을 사용하는 것을 특징으로 하는 TiAlN 전극 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 변형된 AlN 서브사이클을 활용함으로서, TiAlN 전극박막 내 Al의 함량을 줄일 수 있어, 일반적인 TiN과 AlN 서브사이클로 구성된 슈퍼사이클을 활용하여 ALD법으로 증착한 TiAlN에 비하여 비저항이 매우 낮은 TiAlN 전극박막을 형성할 수 있다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45536(2013.01) C23C 16/45536(2013.01)
출원번호/일자 1020170166986 (2017.12.06)
출원인 부산대학교 산학협력단, 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단
등록번호/일자 10-2117146-0000 (2020.05.25)
공개번호/일자 10-2019-0067023 (2019.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20200601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
2 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권세훈 부산광역시 동래구
2 김다영 부산광역시 동래구
3 김광호 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
2 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1218026-02
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0178577-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0028515-71
4 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0012747-20
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0070937-54
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0033889-02
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0591018-22
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1042156-70
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1042106-08
11 등록결정서
Decision to grant
2020.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0141050-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) Ti 전구체를 주입시켜 기판에 흡착시키는 단계 (b) 퍼지가스를 주입하는 단계 (c) N2 또는 NH3 반응가스를 주입하면서 플라즈마를 발생하여 흡착된 Ti 전구체의 리간드를 제거함으로서 일정두께의 TiN 원자층을 형성하는 단계 (d) 퍼지가스를 주입하는 단계로 구성된 TiN 증착을 위한 서브사이클; 및, (e) Ti 전구체를 주입하여 흡착시키는 단계 (f) Al 전구체를 주입하여 흡착시키는 단계 (g) 퍼지가스를 주입하는 단계 (h) N2 또는 NH3 반응가스를 주입하면서 플라즈마를 발생하여 흡착된 상기 Ti 전구체 및 Al 전구체의 리간드를 제거함으로서 일정 두께의 TiN과 AlN 혼합층을 형성하는 단계 및 (h) 퍼지가스를 주입하는 단계;로 구성된 TiN과 AlN 혼합층 증착을 위한 서브사이클;을 포함한 슈퍼사이클에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 변형된 원자층증착법을 이용한 TiAlN 전극박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 Ti 전구체는 TDMAT, TDEAT, TEMAT, TiCl4, TiI4 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 변형된 원자층증착법을 이용한 TiAlN 전극박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 Al 전구체는 TMA 인 것을 특징으로 하는 변형된 원자층증착법을 이용한 TiAlN 전극박막의 제조방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 제조방법으로 제조된 TiAlN 전극 박막을 구비한 반도체소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 부산대학교 산학협력단 미래반도체소자 원천기술개발사업 5 nm 급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소기술개발
2 미래창조과학부 (재) 하이브리드 인터페이스기반 미래소재연구단 하이브리드 인터페이스 기반 미래소재 연구 하이브리드 인터페이스 원천기반공정 및 신기능 소재·부품 개발