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레이저를 이용한 선택적 도금 방법

  • 기술번호 : KST2019009450
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 도금 방법은, 태양전지의 기판에 투명전극을 증착하는 단계, 상기 투명전극 상에 박형(thin) 절연체를 증착하는 단계, 상기 태양전지를 도금액이 수용된 도금요강에 투입하는 단계 및 상기 박형 절연체의 적어도 일부 영역을 레이저로 조사(irradiate)하여 상기 적어도 일부 영역 상에 씨앗층(seed layer)을 도금하는 단계를 포함한다.
Int. CL C25D 5/02 (2006.01.01) C25D 7/12 (2006.01.01) C25D 5/10 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC C25D 5/024(2013.01) C25D 5/024(2013.01) C25D 5/024(2013.01) C25D 5/024(2013.01) C25D 5/024(2013.01)
출원번호/일자 1020170166463 (2017.12.06)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0066753 (2019.06.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수홍 경기도 화성시
2 이두원 경기도 용인시 수지구
3 이상희 서울특별시 광진구 동일로**길 **-*, ***호(군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1215193-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0045576-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0326856-17
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0682285-61
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0682286-17
7 등록결정서
Decision to grant
2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0839288-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 도금 방법에 있어서,태양전지의 기판에 투명전극을 증착하는 단계;상기 투명전극 상에 박형(thin) 절연체를 증착하는 단계;상기 태양전지를 도금액이 수용된 도금요강에 투입하는 단계; 및상기 박형 절연체의 적어도 일부 영역을 레이저로 조사(irradiate)하여 상기 적어도 일부 영역을 선택적으로 씨앗층(seed layer)으로 도금하는 단계를 포함하고,상기 태양전지 도금 방법에는 패터닝 공정이 수행되지 않는,태양전지 도금 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 박형 절연체는, 산화 규소(SiOx), 산화 알루미늄(AlxOy), 질화 규소(SixNy), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 및 산화 몰리브덴(MoOx)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 도금 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 박형 절연체의 두께는 1nm 내지 110nm인,태양전지 도금 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 씨앗층은, 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 도금 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 씨앗층의 표면에 추가 금속층을 도금하는 단계를 더 포함하는,태양전지 도금 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 추가 금속층의 표면에 캐핑층을 도금하는 단계를 더 포함하는,태양전지 도금 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 추가 금속층은, 구리(Cu), 은(Ag) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 도금 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 캐핑층은 은(Ag), 주석(Sn) 및 비스무트(Bi)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는,태양전지 도금 방법
9 9
태양전지 도금 방법에 있어서,태양전지의 기판에 투명전극을 증착하는 단계;상기 투명전극 상에 박형 절연체를 증착하는 단계;상기 박형 절연체의 적어도 일부 영역을 레이저로 조사하여 상기 적어도 일부 영역을 활성화시키는 단계;태양전지를 도금액이 수용된 도금요강에 투입하는 단계 -상기 활성화된 일부 영역에 상기 도금액에 따른 씨앗층이 형성됨-;상기 씨앗층의 표면에 추가 금속층을 도금하는 단계; 및상기 추가 금속층의 표면에 캐핑층을 도금하는 단계를 포함하고,상기 태양전지 도금 방법에는 패터닝 공정이 수행되지 않는,태양전지 도금 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발
2 산업통상자원부 (주)뉴파워프라즈마 소재부품기술개발 셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발