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팔라듐 나노 촉매 입자 위에 선택적으로 성장하는 ITO 박막 나노 패턴의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019009457
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터치스크린 패널 투명 전극, 가스센서 전극 등을 제작하는데 사용될 수 있는 ITO 박막 나노 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 실리콘 기판 위에 형성된 PMMA 수지 박막 위에 전자빔을 조사하여 나노 패턴을 형성시키고, 180oC 질소 조건에서 팔라듐 전구체에 접촉시키면 전자빔 조사 영역에서만 선택적으로 팔라듐 나노 촉매 입자가 형성되고, 최종적으로 인듐 화합물과 주석 화합물 혼합 용액 중에서 반응시키면 ITO가 팔라듐 나노 촉매 위에서만 성장하여 ITO 박막 나노 패턴을 형성하게 된다. ITO 박막의 두께는 0.5~1.5 μm이다. 따라서 팔라듐 나노 촉매를 실리콘 기판의 나노 패턴 표면에 활성화시키는 과정에서 금속염이나 환원제를 사용하지 않고도 팔라듐 전구체의 흡착과 환원이 동시에 이루어져 팔라듐 나노 촉매 입자가 형성되는 장점을 제공할 수 있다.
Int. CL C23C 18/30 (2006.01.01) C23C 18/16 (2006.01.01) C23C 18/20 (2006.01.01)
CPC C23C 18/30(2013.01) C23C 18/30(2013.01) C23C 18/30(2013.01) C23C 18/30(2013.01) C23C 18/30(2013.01)
출원번호/일자 1020170166438 (2017.12.06)
출원인 우석대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0066735 (2019.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 우석대학교 산학협력단 대한민국 전라북도 완주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재영 서울특별시 강북구
2 이홍기 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1215048-81
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0008089-53
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0065154-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0438606-69
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0611861-54
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 위에 20 nm의 PMMA 수지 박막을 형성하고, PMMA 수지 박막 위에 전압과 전류가 50 keV와 0
2 2
제 1항에 있어서상기 제2단계의 paladium(II) bis(acetylacetonate)가 전자빔 조사 영역에 선택적으로 흡착된 후 자발적 환원과정에 의해 팔라듐 나노 촉매 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 패턴 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서상기 제3단계의 반응용액은 산화인듐에 주석이 5~10 WT% 첨가되도록 Indium(III) acetylacetonate와 Tin(IV) isopropoxide를 2-methoxyethanol 용매에 용해시켜서 사용하여 ITO 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 패턴 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서상기 제3단계의 ITO 제조 과정에서 ITO 박막은 상기 제 2단계에서 전자빔이 조사된 영역에 존재하는 팔라듐 나노 촉매 입자 위에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 패턴 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서상기 제3단계의 반응물 용액 온도가 60~100oC에서 ITO 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 ITO 나노 패턴 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서상기 제3단계의 박막 두께가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 우석대학교 산학협력단 지역혁신센터 조성사업 수소연료전지 부품 및 응용기술 지역혁신센터