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i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되며, 상기 제1물질의 구형 입자의 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제3영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고, 상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1물질과 상기 제2물질은 동일한 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 2에 있어서, 상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 v) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 증착금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되고, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 구형화되어 상기 제2물질의 구형 입자가 형성되는 단계;v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 상기 제1물질의 구형 입자의 입자 표면에 상기 제2물질의 구형 입자가 증착되어 증착금속분말이 형성되는 단계; 및vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 증착금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제4영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고, 상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1물질과 상기 제2물질은 다른 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제2분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 vi) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 증착금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 위성분말 증착된 금속분말의 제조방법
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i) 제1물질로 형성되어 제1원료공급부에 충진되는 제1분말과, 제2물질로 형성되어 제2원료공급부에 충진되는 제2분말을 마련하는 단계;ii) 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 연결된 제어부가 상기 제1원료공급부와 상기 제2원료공급부에 제어신호를 전달함으로써 상기 제1분말과 상기 제2분말의 공급 비율이 제어되어, 상기 제1분말과 상기 제2분말을 열플라즈마 반응기에 공급하는 단계;iii) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제1영역에서, 상기 제1분말이 용융되고, 상기 제2분말이 휘발되는 단계;iv) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제2영역에서, 용융된 상태의 상기 제1물질이 응고되면서 구형화되어 상기 제1물질의 구형 입자가 형성되는 단계;v) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제3영역에서, 휘발된 상태의 상기 제2물질이 석출되면서 상기 제2물질이 상기 제1물질의 구형 입자 표면에 코팅되어 코팅금속분말이 형성되는 단계; 및vi) 상기 열플라즈마 반응기 내부의 제4영역에서, 상기 코팅금속분말이 냉각되는 단계;를 포함하고,상기 제어부에는, 상기 제1분말과 상기 제2분말의 종류에 따라 상기 제1영역 내지 제4영역 각각의 영역에서 상기 제1분말의 상태 변화 또는 상기 제2분말의 상태 변화에 대한 데이터가 저장되고, 상기 제어부가 상기 열플라즈마 반응기에 구비된 유도코일부의 위치를 제어함으로써, 가열되는 상기 제1분말의 이동 거리 또는 가열되는 상기 제2분말의 이동 거리가 제어되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 제1물질과 상기 제2물질은 다른 금속이며, 상기 제1분말의 입자 체적이 상기 제2분말의 입자 체적보다 큰 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 제1분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 제2분말은 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 레늄(Re), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag), 철(Fe), 알루미늄(Al) , 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 vi) 단계에서는, 상기 열플라즈마 반응기 내부로 냉각가스를 공급하여 상기 코팅금속분말에 대한 냉각을 수행하는 것을 특징으로 하는 금속층 코팅된 금속분말의 제조방법
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