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화학식 1로 나타내는 반복단위를 포함하고,나노섬유 형태이며,평균 직경이 10 내지 300 nm이고,평균 길이는 0
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제 1 항에 있어서,화학식 1의 정의 부분에서, x의 수는 1 내지 n이며, y의 수는 x의 수를 제외한 나머지인 것을 특징으로 하는 폴리티오펜 복합체
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제 1 항에 있어서,폴리티오펜 복합체는 부분적 또는 전체적으로 양전하를 나타내는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜 복합체
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음이온 계면활성제 및 산화제를 30℃ 내지 70℃의 온도에서 1 내지 50시간 동안 혼합하여 수용액을 제조하는 단계; 및제조된 수용액 및 하기 화학식 2로 나타내는 폴리티오펜 단량체를 포함하는 용액을 혼합하여 나노섬유 형태의 폴리티오펜 복합체를 제조하는 단계를 포함하는 폴리티오펜 복합체의 제조방법:[화학식 2]상기 화학식 2에서,R1 및 R2는 독립적으로 수소, 탄소수 4 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 4 내지 20의 알콕시기이고, 적어도 하나 이상은 탄소수 4 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 4 내지 20의 알콕시기이다
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제 5 항에 있어서,폴리티오펜 복합체를 제조하는 단계는 30 내지 70℃의 온도에서 5 내지 50시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜 복합체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,음이온 계면활성제는 메틸 설페이트 소듐염, 에틸 설페이트 소듐염, 프로필 설페이트 소듐염, 부틸 설페이트 소듐염, 펜틸 설페이트 소듐염, 헥실 설페이트 소듐염, 헵틸 설페이트 소듐염, 옥틸 설페이트 소듐염, 노닐 설페이트 소듐염, 데실 설페이트 소듐염, 언데실 설페이트 소듐염, 도데실 설페이트 소듐염, 트리데실 설페이트 소듐염, 테트라데실 설페이트 소듐염, 펜타데실 설페이트 소듐염, 헥사데실 설페이트 소듐염, 헵타데실 설페이트 소듐염, 옥타데실 설페이트 소듐염, 노나데실 설페이트 소듐염, 에이코실 설페이트 소듐염, 2-에틸헥실 설페이트 소듐염, 2-헥실데실 설페이트 소듐염, 2-옥틸도데실 설페이트 소듐염, 팔미틸 설페이트 소듐염, 스테아릴 설페이트 소듐염, 미리스틸 설페이트 소듐염 및 디옥틸 술포숙시네이트 소듐염 중 어느 1종 이상을 포함하는 폴리티오펜 복합체의 제조방법
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제 5 항에 있어서,폴리티오펜 복합체를 제조하는 단계 이후에, 메탄올 및 증류수로 제조된 폴리티오펜 복합체를 세정하는 단계를 더 포함하는 폴리티오펜 복합체의 제조방법
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고분자 기판의 일면 또는 양면에 전극이 형성되며,상기 전극은 하기 화학식 1로 나타내는 반복단위를 포함하는 나노섬유 형태의 폴리티오펜 복합체를 포함하고,유기 압전 소자의 표면저항 값은 101 내지 104 Ω/□ 인 것을 특징으로 하는 유기 압전 소자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 독립적으로 수소, 탄소수 4 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 4 내지 20의 알콕시기이고, 적어도 하나 이상은 탄소수 4 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 4 내지 20의 알콕시기이며,R3는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이고,n은 1 내지 50,000의 정수이며,x 및 y는 독립적으로 1 내지 50,000의 정수이고, x와 y의 합이 n과 동일하며, 랜덤하게 나열된 구조이다
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제 10 항에 있어서,고분자 기판은 폴리비닐리덴 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF), 폴리(비닐리덴 플루오라이드-트리풀루오로에틸린)[Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) Copolymer, P(VDF-TrFE)] 및 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane, PDMS)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 유기 압전 소자
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제 10 항에 있어서,상기 전극의 두께는 50 ㎚ 내지 5000㎚ 인 것을 특징으로 하는 유기 압전 소자
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