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ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점을 포함한 ZnTe/ZnSe 양자점에 있어서,갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상이 도핑된 ZnTe/ZnSe 양자점
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제1항에 있어서,상기 갈륨의 함량은 상기 Zn 함량 대비 0
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제1항에 있어서,상기 알루미늄의 함량은 상기 Zn 함량 대비 0
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ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점으로 구성된 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법에 있어서,아연 및 텔루륨의 각 전구체를 용매와 함께 반응시켜 ZnTe 코어 양자점을 합성하는 단계와;아연 및 셀레륨의 각 전구체를 용매와 함께 상기 ZnTe 코어 양자점에 주입하고 반응시켜 상기 ZnTe/ZnSe 양자점을 합성하는 단계와;상기 ZnTe/ZnSe 양자점에 갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상의 전구체를 용매와 함께 주입하고 가열하여 상기 갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상을 상기 ZnTe/ZnSe 양자점에 도핑하는 단계를 포함하는 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 가열은 20~350℃ 범위인 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 갈륨의 전구체는 갈륨 아세틸아세토네이트, 갈륨 아세테이트, 갈륨 클로라이드, 트리에틸 갈륨, 트리메틸 갈륨, 알킬 갈륨, 아릴 갈륨, 갈륨 미리스테이트, 갈륨 미리스테이트 아세테이트 및 갈륨 미리스테이트 2 아세테이트로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 알루미늄클로라이드, 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리스(디메틸아미드)알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 알루미늄트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트), AlMe2H, [Al(OsBu)3]4, Al(CH3COCHCOCH3)3, AlCl3, AlBr3, AlI3, Al(OiPr)3, [Al(NMe2)3]2, Al(iBu)2Cl, Al(iBu)3, Al(iBu)2H, AlEt2Cl, Et3Al2(OsBu)3, Al(THD)3, H3AlNMe3, H3AlNEt3, H3AlNMe2Et 및 H3AlMeEt2로 구성되는 군에서 하나 이상 선택되는 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 용매는 옥타데센, 트리옥틸포스핀 옥사이드, 트리옥틸포스핀, 데실아민, 테트라데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 옥틸아민 및 트리옥틸아민 중에서 하나 이상 선택되는 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 아연 전구체는 아연 아세테이트, 아연 스테레이트, 아연 클로라이드, 디에틸아연 및 아연 옥사이드로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 ZnTe/ZnSe 양자점의 제조방법
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