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하기 화학식으로 표시되고, R1 내지 R4 각각은 질소 원소를 포함하는 이형고리 그룹으로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물
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제 1 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 상전이 광 이성질체 화합물
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제 1 항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체 화합물은 고무상과 유리상을 갖고, 고무상과 유리상에서의 유리전이온도 차이는 100~400℃의 범위인 상전이 광 이성질체 화합물
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발광영역과 투명영역을 포함하는 서브화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에 위치하며 상기 발광영역에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광물질층과;상기 발광물질층 상에 위치하며 상기 발광영역과 상기 투명영역에 대응하는 전자 보조층과;상기 전자 보조층 상에 위치하며 상기 발광영역에 대응되는 제 2 전극을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
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5
상기 전자 보조층은 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 상전이 광 이성질체 화합물을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
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6
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 전자 보조층보다 작고 상기 발광물질층보다 큰 면적을 갖는 투명 전계발광 표시장치
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7
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극은, 제 1 방향으로 연장되는 제 1 전극 패턴과 상기 제 1 방향으로 연장되며 제 2 방향으로 상기 제 1 전극 패턴과 이격된 제 2 전극 패턴을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
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8
제 7 항에 있어서,인접한 서브화소영역 사이에 위치하는 연결배선을 더 포함하고,상기 제 1 및 제 2 전극 패턴은 상기 연결배선을 통해 서로 전기적으로 연결되는 투명 전계발광 표시장치
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9
제 8 항에 있어서,상기 연결배선은 상기 기판과 상기 제 1 전극 사이에 위치하며 상기 제 2 방향을 따라 연장되는 투명 전계발광 표시장치
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10
제 8 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 전극 사이에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하며,상기 연결배선은 상기 박막트랜지스터의 일 부분과 동일층에 형성되며 동일물질로 이루어지는 투명 전계발광 표시장치
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11
제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극패턴과 상기 제 2 전극패턴은, 상기 제 1 전극패턴으로부터 연장되는 브릿지 패턴에 의해 연결되는 투명 전계발광 표시장치
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12
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극을 덮는 커버층을 더 포함하고,상기 커버층은, 상기 발광영역에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 투명영역에서 상기 전자 보조층과 접촉하는 투명 전계발광 표시장치
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13
각각이 발광영역과 투명영역을 포함하는 서브화소영역이 정의된 기판 상부에, 상기 발광영역에 대응하여 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상에, 상기 발광영역에 대응하여 발광물질층을 형성하는 단계와;상전이 광 이성질체 화합물을 포함하며, 상기 발광물질층을 덮고 상기 발광영역과 상기 투명영역에 대응하는 전자 보조층을 형성하는 단계와;상기 발광영역 또는 상기 투명영역 중 어느 하나에 대응하여 상기 전자 보조층에 광을 조사하는 단계와;상기 전자 보조층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 발광영역에 대응하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
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14
제 13 항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체 화합물은 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나인 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 전자 보조층에 광을 조사하는 단계에서, 상기 광은 UV이고, 상기 광은 상기 발광 영역에 조사되는 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
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