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상전이 광 이성질체 화합물, 투명 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019009603
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상전이 광 이성질체 화합물을 제공하며, 상전이 광 이성질체층에 선택적 광 조사 공정을 진행한 후 도전성 물질을 증착함으로써, 마스크 공정 없이 금속 패턴의 형성이 가능하다. 따라서, 마스크 공정 없이 투명 전계발광 표시장치의 투명영역을 제외하고 발광영역에 제 2 전극을 선택적으로 증착할 수 있으며, 이에 따라 투명 전계발광 표시장치의 투과율 저하 문제를 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020170168574 (2017.12.08)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0068309 (2019.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.11)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황준식 경기도 파주시
2 기남 경기도 파주시
3 전창우 경기도 파주시
4 심은지 서울특별시 서초구
5 최수혁 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1226750-72
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-1204085-06
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번호 청구항
1 1
하기 화학식으로 표시되고, R1 내지 R4 각각은 질소 원소를 포함하는 이형고리 그룹으로부터 선택되는 상전이 광 이성질체 화합물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 상전이 광 이성질체 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 상전이 광 이성질체 화합물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체 화합물은 고무상과 유리상을 갖고, 고무상과 유리상에서의 유리전이온도 차이는 100~400℃의 범위인 상전이 광 이성질체 화합물
4 4
발광영역과 투명영역을 포함하는 서브화소영역이 정의된 기판과;상기 기판 상부에 위치하며 상기 발광영역에 위치하는 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광물질층과;상기 발광물질층 상에 위치하며 상기 발광영역과 상기 투명영역에 대응하는 전자 보조층과;상기 전자 보조층 상에 위치하며 상기 발광영역에 대응되는 제 2 전극을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
5 5
상기 전자 보조층은 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 상전이 광 이성질체 화합물을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 전자 보조층보다 작고 상기 발광물질층보다 큰 면적을 갖는 투명 전계발광 표시장치
7 7
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극은, 제 1 방향으로 연장되는 제 1 전극 패턴과 상기 제 1 방향으로 연장되며 제 2 방향으로 상기 제 1 전극 패턴과 이격된 제 2 전극 패턴을 포함하는 투명 전계발광 표시장치
8 8
제 7 항에 있어서,인접한 서브화소영역 사이에 위치하는 연결배선을 더 포함하고,상기 제 1 및 제 2 전극 패턴은 상기 연결배선을 통해 서로 전기적으로 연결되는 투명 전계발광 표시장치
9 9
제 8 항에 있어서,상기 연결배선은 상기 기판과 상기 제 1 전극 사이에 위치하며 상기 제 2 방향을 따라 연장되는 투명 전계발광 표시장치
10 10
제 8 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 전극 사이에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하며,상기 연결배선은 상기 박막트랜지스터의 일 부분과 동일층에 형성되며 동일물질로 이루어지는 투명 전계발광 표시장치
11 11
제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극패턴과 상기 제 2 전극패턴은, 상기 제 1 전극패턴으로부터 연장되는 브릿지 패턴에 의해 연결되는 투명 전계발광 표시장치
12 12
제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극을 덮는 커버층을 더 포함하고,상기 커버층은, 상기 발광영역에서 상기 제 2 전극과 접촉하고 상기 투명영역에서 상기 전자 보조층과 접촉하는 투명 전계발광 표시장치
13 13
각각이 발광영역과 투명영역을 포함하는 서브화소영역이 정의된 기판 상부에, 상기 발광영역에 대응하여 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상에, 상기 발광영역에 대응하여 발광물질층을 형성하는 단계와;상전이 광 이성질체 화합물을 포함하며, 상기 발광물질층을 덮고 상기 발광영역과 상기 투명영역에 대응하는 전자 보조층을 형성하는 단계와;상기 발광영역 또는 상기 투명영역 중 어느 하나에 대응하여 상기 전자 보조층에 광을 조사하는 단계와;상기 전자 보조층 전면에 대하여 도전성 물질의 증착 공정을 진행하여 상기 발광영역에 대응하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 상전이 광 이성질체 화합물은 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나인 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 전자 보조층에 광을 조사하는 단계에서, 상기 광은 UV이고, 상기 광은 상기 발광 영역에 조사되는 투명 전계발광 표시장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN110003191 CN 중국 FAMILY
2 US20190181345 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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2 US2019181345 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.