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레이저를 이용하여 전류밀도를 조절한 유기 메모리

  • 기술번호 : KST2019009660
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 메모리에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 단위 소자가 유기 저항층과 반도체 다이오드층이 아닌 하나의 유기 다이오드층을 포함하여 이루어지고, 제작 완료 후에 단위 소자에 레이저를 조사하여 유기 다아오드 층이 변성되게 함으로써 전류 밀도를 변화시켜 단위 소자가 출력할 수 있는 전류레벨을 다양화하여 방대한 정보를 저장할 수 있는 유기 메모리에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 51/05(2013.01) H01L 51/05(2013.01) H01L 51/05(2013.01)
출원번호/일자 1020170169086 (2017.12.11)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0068870 (2019.06.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤창훈 광주광역시 광산구
2 고혁 광주광역시 남구
3 김은미 광주광역시 북구
4 김영백 광주광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-1229490-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0785930-52
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0073111-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0076751-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0076720-28
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0456023-73
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0872417-58
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0969669-98
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-1087745-40
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-1166503-95
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1166487-41
13 등록결정서
Decision to grant
2020.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0188159-22
14 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5011643-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 반도체인 복수의 단위 소자들을 어레이 형태로 구비한 유기 메모리로서,상기 단위 소자들은 제1 전극, 유기 다이오드층 및 제2 전극이 순차로 적층되어 이루어지고,제작완료 후에 레이저를 조사하여 상기 단위 소자들 중, 어느 하나 또는 복수 개의 유기 다이오드층을 변성시킴으로써 전류 밀도를 감소시켜 비트라인의 출력이 '0', '1' 이외에 '1/2','1/4' 또는 '3/4'를 포함하는 멀티 레벨이 출력하게 하고, 유기 저항층이 없이 상기 유기 다이오드층만으로 멀티 레벨이 출력되며,상기 레이저는 상기 단위 소자의 소정의 면적에 조사되며, 상기 단위 소자는 변성되는 면적에 따라 특정 레벨의 전류를 출력하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 상기 단위 소자에 점으로 조사되고, 상기 단위 소자는 상기 점의 개수가 많아질수록 전류 밀도가 낮아지는 것을 특징으로 하는 유기 메모리
4 4
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 상기 단위 소자에 라인으로 조사되고, 상기 단위 소자는 상기 라인의 개수가 많아질수록 전류 밀도가 낮아지는 것을 특징으로 하는 유기 메모리
5 5
제 4 항에 있어서,상기 단위 소자의 전류 밀도는 상기 라인들 간의 간격에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 메모리
6 6
제 1 항에 있어서,상기 레이저는 상기 단위 소자에 소정의 패턴으로 조사되고, 상기 단위 소자는 상기 패턴의 형태에 따라 전류 밀도가 변화되는 것을 특징으로 하는 유기 메모리
7 7
제 1 항, 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 메모리는 WORM(Write Once Read Many) 메모리인 것을 특징으로 하는 유기 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.