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기판 상에 산화물 박막을 형성하는 방법에 있어서,희토류계 원소 및 산화물 박막 재료를 포함하는 소스 용액을 준비하는 단계;상기 소스 용액에 초음파를 전달하여 상기 소스 용액을 액적 상태로 반응 챔버 내로 투입하는 단계; 및상기 반응 챔버 내에서 열분해된 반응물을 상기 기판 상에 공급하는 단계;를 포함하고,상기 초음파의 강도를 조절하여 상기 액적의 입도를 조절하고,상기 반응 챔버의 온도는 300℃~400℃이며, 상기 반응 챔버의 온도의 조절에 의해 상기 액적의 열분해율을 조절하여,상기 반응물 입자들의 형상, 도핑 깊이, 박막 두께 및 p형 도핑 농도를 제어하는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 희토류계 원소는,Eu, Gd, Sm, Tb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 어느 하나 또는 이들을 둘 이상 조합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 p형 산화물 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 기판은,실리콘, 사파이어, 유리, GaN, GaAs, SiC, ZnO 및 MgO 중 적어도 어느 하나,또는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 p형 산화물 박막의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 산화물 박막은,SnO2 또는 PbO2인 것을 특징으로 하는 p형 산화물 박막의 제조방법
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