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접합 공정 후(Post-Bond) 수리 과정을 위한 적층형 메모리 장치에 있어서,복수의 메모리 층; 및상기 복수의 메모리 층에 연결된 시스템 층을 포함하며,상기 시스템 층은, 상기 복수의 메모리 층의 셀을 대체하는 솔루션 정보를 저장하는 솔루션 메모리; 상기 복수의 메모리 층의 셀을 대체하는 상기 솔루션 정보 및 상기 셀에 대응하는 데이터를 저장하는 여분 메모리; 및상기 복수의 메모리 층 중에서 해당하는 메모리 층 및 상기 여분 메모리에 대하여 데이터를 기입하는 동작과 독출하는 동작을 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하며,상기 솔루션 정보는 (i) 층 정보, (ii) 행 정보, 및 (iii) 열 정보를 포함하며,상기 여분 메모리는 상기 층 정보를 저장하며,상기 여분 메모리의 데이터 처리 속도가 상기 메모리 층의 데이터 처리 속도보다 빠르며,상기 메모리 층은 고장난 셀이던 정상 셀이던 정보를 저장하고, 읽기 과정에서 데이터가 선별되며,상기 여분 메모리의 데이터 확인은 상기 메모리 층의 데이터 확인보다 빨라서, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 정상 셀의 데이터가 도착하기 전에 이미 상기 여분 메모리의 정보를 내보낼지 상기 메모리 층의 정보를 내보낼지 판단을 완료하며,상기 메모리 컨트롤러가 목적 주소에 데이터를 기입하는 동작을 수행할 때, 상기 복수의 메모리 중에서 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층 및 상기 시스템 층에 위치하는 상기 여분 메모리 모두로 상기 목적 주소 및 상기 데이터를 전달하고,상기 메모리 컨트롤러가 상기 목적 주소로부터 데이터를 독출하는 동작을 수행할 때, 상기 복수의 메모리 중에서 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층 및 상기 시스템 층에 위치하는 상기 여분 메모리 모두로 상기 목적 주소를 전달하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 여분 메모리는 내용 주소화 메모리(Content Addressable Memory, CAM)로 구현되며,상기 솔루션 메모리는 상기 솔루션 정보를 영구적으로 저장하고,상기 여분 메모리는 전원이 인가되면 상기 솔루션 메모리로부터 상기 솔루션 정보를 수신하여 상기 복수의 메모리 층에 여분 셀을 추가하지 않고 상기 복수의 메모리 층의 셀을 논리적으로 대체하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 솔루션 메모리는 상기 복수의 메모리 층의 라인을 대체하는 (i) 상기 층 정보, (ii) 행렬 플래그, 및 (iii) 행 또는 열의 주소를 저장하고, 상기 여분 메모리는 상기 복수의 메모리 층의 라인을 대체하는 (i) 상기 층 정보, (ii) 상기 행렬 플래그, (iii) 상기 행 또는 열의 주소, 및 (iv) 상기 라인에 대응하는 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층은 셀의 고장여부에 상관없이 상기 전달된 데이터를 저장하며,상기 여분 메모리는 상기 목적 주소가 존재하면 상기 전달된 데이터를 저장하고 상기 목적 주소가 존재하지 않으면 상기 전달된 데이터를 저장하지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 여분 메모리에 상기 목적 주소가 존재하면 상기 여분 메모리에서 상기 목적 주소에 대응하는 데이터를 선택하여 출력하고, 상기 여분 메모리에 상기 목적 주소가 존재하지 않으면 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층에서 상기 목적 주소에 대응하는 데이터를 선택하여 출력하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치
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접합 공정 후(Post-Bond) 수리 과정을 위한 복수의 메모리 층 및 시스템 층을 갖는 적층형 메모리 장치의 수리 방법에 있어서,솔루션 메모리가 상기 복수의 메모리 층의 셀을 대체하는 솔루션 정보를 저장하는 단계;여분 메모리가 상기 복수의 메모리 층의 셀을 대체하는 상기 솔루션 정보 및 상기 셀에 대응하는 데이터를 저장하는 단계; 및메모리 컨트롤러가 상기 복수의 메모리 층 중에서 해당하는 메모리 층 및 상기 여분 메모리에 대하여 데이터를 기입하는 동작과 독출하는 동작을 제어하는 단계를 포함하며,상기 솔루션 정보는 (i) 층 정보, (ii) 행 정보, 및 (iii) 열 정보를 포함하며,상기 여분 메모리는 상기 층 정보를 저장하며,상기 여분 메모리의 데이터 처리 속도가 상기 메모리 층의 데이터 처리 속도보다 빠르며,상기 메모리 층은 고장난 셀이던 정상 셀이던 정보를 저장하고, 읽기 과정에서 데이터가 선별되며,상기 여분 메모리의 데이터 확인은 상기 메모리 층의 데이터 확인보다 빨라서, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 정상 셀의 데이터가 도착하기 전에 이미 상기 여분 메모리의 정보를 내보낼지 상기 메모리 층의 정보를 내보낼지 판단을 완료하며,상기 메모리 컨트롤러가 목적 주소에 데이터를 기입하는 동작을 수행할 때, 상기 복수의 메모리 중에서 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층 및 상기 시스템 층에 위치하는 상기 여분 메모리 모두로 상기 목적 주소 및 상기 데이터를 전달하고,상기 메모리 컨트롤러가 상기 목적 주소로부터 데이터를 독출하는 동작을 수행할 때, 상기 복수의 메모리 중에서 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층 및 상기 시스템 층에 위치하는 상기 여분 메모리 모두로 상기 목적 주소를 전달하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치의 수리 방법
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제10항에 있어서,상기 여분 메모리는 내용 주소화 메모리(Content Addressable Memory, CAM)로 구현되며,상기 솔루션 메모리는 상기 솔루션 정보를 영구적으로 저장하고,상기 여분 메모리는 전원이 인가되면 상기 솔루션 메모리로부터 상기 솔루션 정보를 수신하여 상기 복수의 메모리 층에 여분 셀을 추가하지 않고 상기 복수의 메모리 층의 셀을 논리적으로 대체하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치의 수리 방법
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제10항에 있어서,상기 솔루션 메모리는 상기 복수의 메모리 층의 라인을 대체하는 (i) 상기 층 정보, (ii) 행렬 플래그, 및 (iii) 행 또는 열의 주소를 저장하고, 상기 여분 메모리는 상기 복수의 메모리 층의 라인을 대체하는 (i) 상기 층 정보, (ii) 상기 행렬 플래그, (iii) 상기 행 또는 열의 주소, 및 (iv) 상기 라인에 대응하는 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치의 수리 방법
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제10항에 있어서,상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층은 셀의 고장여부에 상관없이 상기 전달된 데이터를 저장하며,상기 여분 메모리는 상기 목적 주소가 존재하면 상기 전달된 데이터를 저장하고 상기 목적 주소가 존재하지 않으면 상기 전달된 데이터를 저장하지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치의 수리 방법
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제10항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 여분 메모리에 상기 목적 주소가 존재하면 상기 여분 메모리에서 상기 목적 주소에 대응하는 데이터를 선택하여 출력하고, 상기 여분 메모리에 상기 목적 주소가 존재하지 않으면 상기 목적 주소에 해당하는 메모리 층에서 상기 목적 주소에 대응하는 데이터를 선택하여 출력하는 것을 특징으로 하는 적층형 메모리 장치의 수리 방법
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