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표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019009856
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자막을 광조사하면서 광산 발생제(Photoacid generator)로 표면 처리하여 상기 고분자막의 표면에 수산화기(-OH)를 형성하는 단계 (a);를 포함하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 광산발생제를 통해 고분자막에 수산화기(-OH)를 도입함으로써, 고분자막의 손상없이 표면을 개질할 수 있는 효과가 있다. 또한, 표면이 개질된 고분자막을 포함하는 유기전자소자의 전기적 특성 및 안정성이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL C08J 7/12 (2006.01.01) C08J 7/14 (2006.01.01) C08J 5/18 (2006.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1020170170331 (2017.12.12)
출원인 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2026191-0000 (2019.09.23)
공개번호/일자 10-2019-0069946 (2019.06.20) 문서열기
공고번호/일자 (20190927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조길원 경상북도 포항시 남구
2 김진성 부산광역시 북구
3 강보석 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수열 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동) *층(국제특허다호)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1236738-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1240322-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2018-0023394-24
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2018.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0782473-26
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0866716-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-0151153-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0151194-05
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0454523-43
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0759853-78
11 법정기간연장승인서
 2019.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0121794-24
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0870177-48
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0870193-79
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0673890-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광산 발생제(Photoacid generator)를 포함하는 광산 발생제 용액에 고분자막을 담그는 단계 (a’);상기 광산 발생제 용액에 담그어진 고분자막 및 상기 고분자막이 담그어진 상기 광산 발생제 용액을 자외선(UV)으로 광조사하면서 상기 고분자막을 상기 광산 발생제로 표면 처리하여 상기 고분자막의 표면에 수산화기(-OH)를 형성하는 단계 (a);상기 수산화기가 형성된 고분자막의 표면 상에 자기조립 단층막(self assembly monolayer, SAM)을 형성하는 단계 (b); 및상기 고분자막의 표면 상에 형성된 수산화기를 상기 자기조립 단층막의 분자들과 반응시켜 상기 고분자막의 표면과 상기 자기조립 단층막을 공유결합으로 결합시키는 단계 (c);를포함하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 (a) 이전에, 상기 고분자막이 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅중 어느 하나의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 고분자막이 Poly(vinyl alcohol), Poly(4-vinyl phenol), Poly(vinyl chloride), Polyisoprene, Poly(chloroprene)(PCP), Poly(acrylonitrile butadiene), Poly(styrene-ethylene-butadiene-styrene), Poly(styrene butadiene), Polyacrylamide, Nylon, Poly(vinyl acetate), Poly(cis-butadiene), poly(1-vinyl naphthalate), Polyethylene terephthalate, Polyethylene, Polyurethane, Poly(hexamethylene adipamaide), Poly(methyl methacrylate), Poly(styrene), Poly(dimethylsiloxane), Poly(vinylidene fluoride), Poly(tert-butylstyrene) Polyimide, Benzocy-clobutene (BCB), Poly(acrylonitrile), Poly(methylene oxide), Poly(cyclohexyl methacrylate) 및 CYTOP (Cyclized Transparent Optical Polymer) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 광산발생제가 triphenylsulfonium triflate (TPS), (4-tert-Butylphenyl)diphenylsulfonium triflate, (4-Fluorophenyl)diphenylsulfonium triflate, N-Hydroxynaphthalimide triflate(NHN), Tris(4-tert-butylphenyl)sulfonium triflate, Bis(4-tert-butylphenyl)iodonium perfluoro-1-butanesulfonate 및 Boc-methoxyphenyldiphenylsulfonium triflate 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 자기 조립 단층막(SAM)이 Amino propyltriethoxysilane, hexamethyldisilazane, Methyltrichlorosilane, Octyltrichlorosilane(OTS), Dodecyl trichlorosilane, Octadecyltrichlorosilane, trichloro(1H,1H,2H,2H perfluorooctyl)silane, pentafluorophenyl trichlorosilane, pentafluorophenyl propyl-trichlorosilane, 3-aminoisopropyltriethoxysilanes, Methoxylsilane, Chloromethyl(dimethyl)methoxysilane, (3-Aminopropyl)trimethoxysilane, Dimethyl(3-chloropropyl)methoxysilane, Diethoxy(isobutyl)methoxysilane, Methoxy(dimethyl)octadecylsilane, Octylphosphonic acid, Tetradecylphosphonic acid, Decylphosphonic acid, Octadecylphosphonic acid, 1-dodecanethiol, octanethiol 및 Caproic acid 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 단계 (b)가 -30 내지 60℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 단계 (b)가 -20 내지 30℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 단계 (b)가 -10 내지 10℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자막의 제조방법
11 11
제1항의 제조방법에 따라 제조된 표면 개질된 고분자막
12 12
광산 발생제(Photoacid generator)를 포함하는 광산 발생제 용액에 고분자막을 담그는 단계 (a’);상기 광산 발생제 용액에 담그어진 고분자막 및 상기 고분자막이 담그어진 상기 광산 발생제 용액을 자외선(UV)으로 광조사하면서 상기 고분자막을 상기 광산 발생제로 표면 처리하여 상기 고분자막의 표면에 수산화기(-OH)를 형성하는 단계 (a);상기 수산화기가 형성된 고분자막의 표면 상에 자기조립 단층막(self assembly monolayer, SAM)을 형성하는 단계 (b); 및상기 고분자막의 표면 상에 형성된 수산화기를 상기 자기조립 단층막의 분자들과 반응시켜 상기 고분자막의 표면과 상기 자기조립 단층막을 공유결합으로 결합시켜 표면 개질된 고분자막을 제조하는 단계 (c);기판 상에 표면 개질된 상기 고분자막을 포함하는 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층 상에 유기 반도체를 포함하는 활성층, 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기전자소자의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기박막트랜지스터, 유기태양전지 및 유기발광다이오드 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 기판이 유연기판인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 유연기판이 Polyimide, Polyethylene naphthalate, Parylene 및Polyethylene terephthalate 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
17 17
제12항에 있어서,상기 유기반도체가 poly(3-hexyl)thiophene, poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), Poly[2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene], polythiophene, diketopyrrolo-pyrrole-dithiophene-thienothiophene, tetracene, pentacene, fullerene, 6,13-bis(triisopropylsilylethinyl)pentacene (TIPS-pentacene), poly[2,5-bis(3-dodecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene] (PBTTT), poly[(4,4-bis(2-ethylhexyl)cyclopenta[2,1-b:3,4-b0]dithiophene)-2,6-diyl-alt-[1,2,5]-thiadiazolo[3,4-c]pyridine] (PCDTPT), didodecyl[1]-benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C12-BTBT), diketopyrrolopyrrole-dithienylthieno[3,2-b]thiophene (DPP-DTT), cyclopentadithiophene-benzothiadiazole (CDT-BTZ), phthalocyanine, rubrene, 2,7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene 및 oligothiophene 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
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1 과학기술정보통신부 재단법인나노기반소프트일렉트로닉스연구단 글로벌프론티어지원 소프트 전자 소자 구현을 위한 계면 제어 기술 개발