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베이스 기재;상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속 나노와이어; 및상기 금속 나노와이어의 상부에 위치하는 유기물층을 포함하고,상기 유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체인 면상 발열 시트
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베이스 기재; 상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속 나노와이어;상기 금속 나노와이어의 상부에 위치하는 제1유기물층; 및상기 제1유기물층의 상부에 위치하는 제2유기물층을 포함하고,상기 제1유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체이고,상기 제2유기물층은 전도성 고분자 물질로 이루어지는 면상 발열 시트
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베이스 기재;상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속 나노와이어;상기 금속 나노와이어의 상부에 위치하는 제1유기물층; 및상기 제1유기물층의 상부에 위치하는 제2유기물층을 포함하고,상기 제1유기물층은 전도성 고분자 물질로 이루어지고,상기 제2유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체인 면상 발열 시트
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카테콜아민 (catecholamine)은 도파민 (dopamine), 폴리도파민(PDA), 도파민퀴논 (dopamine-quinone), 알파-메틸도파민 (alphamethyldopamine), 노르에피네프린 (norepinephrine), 에피네프린(epinephrine), 알파-메틸도파(alphamethyldopa), 드록시도파 (droxidopa), 및 5-하이드록시도파민 (5-Hydroxydopamine)으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 면상 발열 시트
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스 기재와 상기 금속 나노와이어의 사이에 위치하는 금속메쉬층을 더 포함하는 면상 발열 시트
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제 5 항에 있어서,상기 금속메쉬층은 상기 베이스 기재의 상면에 위치하거나, 또는, 상기 금속메쉬층은 상기 베이스 기재의 내부에 함몰되어 위치하는 면상 발열 시트
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베이스 기재;상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속메쉬층; 및상기 금속메쉬층의 상부에 위치하는 유기물층을 포함하고,상기 유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체인 면상 발열 시트
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베이스 기재;상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속메쉬층;상기 금속메쉬층의 상부에 위치하는 제1유기물층; 및상기 제1유기물층의 상부에 위치하는 제2유기물층을 포함하고,상기 제1유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체이고, 상기 제2유기물층은 전도성 고분자 물질로 이루어지는 면상 발열 시트
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베이스 기재;상기 베이스 기재 상에 위치하는 금속메쉬층;상기 금속메쉬층의 상부에 위치하는 제1유기물층; 및상기 제1유기물층의 상부에 위치하는 제2유기물층을 포함하고,상기 제1유기물층은 전도성 고분자 물질로 이루어지고, 상기 제2유기물층은 카테콜아민 (catecholamine) 또는 그 유도체인 면상 발열 시트
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제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 카테콜아민 (catecholamine)은 도파민 (dopamine), 폴리도파민(PDA), 도파민퀴논 (dopamine-quinone), 알파-메틸도파민 (alphamethyldopamine), 노르에피네프린 (norepinephrine), 에피네프린(epinephrine), 알파-메틸도파(alphamethyldopa), 드록시도파 (droxidopa), 및 5-하이드록시도파민 (5-Hydroxydopamine)으로 구성된 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 면상 발열 시트
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제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속메쉬층은 상기 베이스 기재의 상면에 위치하거나, 또는, 상기 금속메쉬층은 상기 베이스 기재의 내부에 함몰되어 위치하는 면상 발열 시트
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