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메모리 오염 감시 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2019010028
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 오염 감시 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 메모리 오염 감시 장치에 의해 수행되는 메모리 오염 감시 방법은, 하이퍼바이저를 이용하여, 감시 대상 코드의 메모리 쓰기 이벤트를 감시하는 단계, 상기 메모리 쓰기 이벤트 발생 시, 메모리 오염 지도를 분석하여 메모리 오염을 감시하는 단계, 그리고 상기 메모리 오염의 감시 결과 메모리 오염 정도가 임계값보다 큰 경우, 메모리 변경 정보를 메모리 중간 상태로 저장하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 21/56 (2013.01.01) G06F 21/55 (2013.01.01) G06F 11/30 (2006.01.01) G06F 11/32 (2006.01.01)
CPC G06F 21/56(2013.01) G06F 21/56(2013.01) G06F 21/56(2013.01) G06F 21/56(2013.01)
출원번호/일자 1020170172986 (2017.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2008953-0000 (2019.08.02)
공개번호/일자 10-2019-0071994 (2019.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20190808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대전광역시 유성구
2 이상록 대전광역시 유성구
3 김종규 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1251316-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0027013-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0123165-26
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0252817-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0252818-88
7 등록결정서
Decision to grant
2019.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0495749-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 오염 감시 장치에 의해 수행되는 메모리 오염 감시 방법에 있어서, 하이퍼바이저를 이용하여, 감시 대상 코드의 메모리 쓰기 이벤트를 감시하는 단계, 상기 메모리 쓰기 이벤트 발생 시, 메모리 오염 지도를 분석하여 메모리 오염을 감시하는 단계, 그리고 상기 메모리 오염의 감시 결과 메모리 오염 정도가 임계값보다 큰 경우, 메모리 변경 정보를 메모리 중간 상태로 저장하는 단계를 포함하고,상기 메모리 오염 지도는 수정 횟수 및 위험도 중에서 적어도 하나를 기반으로 연산된 메모리 오염 정보를 포함하고,상기 수정 횟수 및 상기 위험도 중에서 적어도 하나에 가중치가 설정됨으로써 상기 메모리 오염 정도가 연산되는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 메모리 쓰기 이벤트를 감시하는 단계는, 네이티브(Native) 방식의 상기 하이퍼바이저를 이용하여, 게스트 운영체제에서 동작하는 상기 감시 대상 코드의 상기 메모리 쓰기 이벤트를 감시하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
3 3
제2항에 있어서, 메모리 복원 요청 수신 시, 상기 메모리 복원 요청에 상응하는 복원 시점의 메모리 셀을 복사하여 분석 환경을 복원하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 분석 환경을 복원하는 단계는, 상기 복원 시점의 변경된 상기 메모리 셀을 복사하여, 활성 메모리를 복원하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 분석 환경을 복원하는 단계는, 상기 메모리 중간 상태로 저장된 상기 메모리 변경 정보 및 베이스 RAM 데이터 중 적어도 어느 하나를 기반으로 상기 활성 메모리를 복원하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
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제2항에 있어서, 상기 메모리 오염 정도가 임계값보다 큰 경우, 알람을 발생하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
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제7항에 있어서, 상기 메모리 오염 지도의 셀 크기, 상기 알람의 활성화 여부, 상기 임계값, 중간 상태 저장의 활성화 여부 및 상기 중간 상태 저장의 기록 시간 중 적어도 어느 하나를 포함하는 설정값을 입력받는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
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제2항에 있어서, 상기 메모리 쓰기 이벤트 발생 시, 셀 번호, 메모리 주소, 값, 프로세스 식별자, 권한 정보 및 알람 번호 중 적어도 어느 하나를 쓰기 정보 기록 테이블에 저장하는 단계를 더 포함하는 메모리 오염 감시 방법
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하이퍼바이저를 이용하여, 감시 대상 코드의 메모리 쓰기 이벤트를 감시하는 쓰기 이벤트 감시부, 상기 메모리 쓰기 이벤트 발생 시, 메모리 오염 지도를 분석하여 메모리 오염을 감시하는 메모리 오염 감시부, 그리고 상기 메모리 오염의 감시 결과 메모리 오염 정도가 임계값보다 큰 경우, 메모리 변경 정보를 메모리 중간 상태로 저장하는 중간 상태 저장부를 포함하고,상기 메모리 오염 지도는 수정 횟수 및 위험도 중에서 적어도 하나를 기반으로 연산된 메모리 오염 정보를 포함하고,상기 수정 횟수 및 상기 위험도 중에서 적어도 하나에 가중치가 설정됨으로써 상기 메모리 오염 정도가 연산되는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 장치
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메모리 오염 감시 장치에 의해 수행되는 메모리 오염 감시 방법에 있어서, 악성 코드의 메모리 쓰기 이벤트 발생 시, 메모리 오염 지도를 분석하여 메모리 오염을 감시하는 단계, 상기 메모리 오염의 감시 결과 메모리 오염 정도가 임계값보다 큰 경우, 메모리 변경 정보를 메모리 중간 상태로 저장하는 단계, 그리고 메모리 복원 요청을 수신 시, 상기 메모리 변경 정보 및 베이스 RAM 데이터 중 적어도 어느 하나를 기반으로 악성 코드 분석 환경의 활성 메모리를 복원하는 단계를 포함하고,상기 메모리 오염 지도는 수정 횟수 및 위험도 중에서 적어도 하나를 기반으로 연산된 메모리 오염 정보를 포함하고,상기 수정 횟수 및 상기 위험도 중에서 적어도 하나에 가중치가 설정됨으로써 상기 메모리 오염 정도가 연산되는 것을 특징으로 하는 메모리 오염 감시 방법
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