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하부 클래드 막;상기 하부 클래드 막 상에 제공되되, 상기 하부 클래드 막의 상면에 평행한 제1 방향으로 배열되는 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들;상기 제1 양자 우물 패턴 상에 제공된 상부 클래드 막; ？？br/003e#상기 제3 양자 우물 패턴과 상기 하부 클래드 막 사이에 제공되는 제1 격자 패턴들을 포함하되, 상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들은 상기 하부 클래드 막의 상면에 평행한 제1 방향으로 배열되고,상기 상부 클래드 막의 도전형은 p형이고,상기 하부 클래드 막의 도전형은 n형이며,상기 제3 양자 우물 패턴은 전기적으로 진성(intrinsic)이고, 상기 상부 클래드 막, 상기 제3 양자 우물 패턴, 및 상기 하부 클래드 막에 역방향 바이어스가 인가되어, 상기 제3 양자 우물 패턴의 굴절률을 바꾸는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 양자 우물 막들 사이에 제공되어, 상기 제1 및 제2 양자 우물 막들과 광결합하는 제1 패시브 광 도파로 패턴; 및상기 제2 및 제3 양자 우물 패턴들 사이에 제공되어, 상기 제2 및 제3 양자 우물막들과 광 결합하는 제2 패시브 광 도파로 패턴을 더 포함하되,상기 제1 패시브 광 도파로 패턴의 굴절률 및 상기 제2 패시브 광 도파로 패턴의 굴절률은 상기 하부 클래드 막의 굴절률과 다른 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 격자 패턴들과 상기 하부 클래드 막 사이에 제공되는 에어갭을 더 포함하되,상기 제1 격자 패턴들은 에어갭에 의해 노출되는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제1 양자 우물 패턴과 상기 하부 클래드 막 사이에 제공되는 절연막을 더 포함하되,상기 제1 격자 패턴들은 상기 절연막 내에 제공되는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제3 양자 우물 패턴의 측면 상에 제공되어, 상기 제3 양자 우물 패턴의 상기 측면을 따라 연장하는 반사막을 더 포함하는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제3 양자 우물 패턴으로부터 상기 제1 방향으로 이격된 제4 양자 우물막; 상기 제3 및 제4 양자 우물 패턴들 사이에 제공되어, 상기 제3 및 제4 양자 우물 패턴들의 각각과 광 결합하는 제3 패시브 광 도파로 패턴; 및상기 제4 양자 우물 패턴과 상기 하부 클래드 막 사이에 제공되는 제2 격자 패턴들을 포함하되,상기 제4 양자 우물 패턴은 전기적으로 진성이며, 상기 상부 클래드 막, 상기 제4 양자 우물 패턴, 및 상기 하부 클래드 막에 역방향 바이어스가 인가되어, 상기 제4 양자 우물 패턴의 굴절률을 바꾸는 파장 가변 레이저 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 격자 패턴들은 DBR 또는 Sampled-Grating DBR을 포함하는 가변 반도체 레이저
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제 1 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들 과 상기 제1 격자 패턴들 사이에 배치되는 스페이서를 더 포함하되,상기 스페이서는 상기 하부 클래드 막과 실질적으로 동일한 물질을 포함하는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제3 양자 우물 패턴을 사이에 두고 상기 제2 양자 우물 패턴의 반대편에 배치된 제5 양자 우물 패턴; 및상기 제5 양자 우물 패턴을 사이에 두고 상기 제3 양자 우물 패턴의 반대편에 배치된 제6 양자 우물 패턴을 포함하되,상기 제5 양자 우물 패턴 및 제6 양자 우물 패턴은 상기 하부 클래드 막 상에 제공되는 파장 가변 레이저 장치
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제 1 항에 있어서,상게 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들과 상기 제1 격자 패턴들 사이에 제공되어, 상기 제1 방향으로 연장하는 패시브 광 도파로 막을 더 포함하는 파장 가변 레이저 장치
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하부 클래드 막을 준비하는 것;상기 하부 클래드 막 상에 제1 양자 우물 패턴, 제2 양자 우물 패턴, 및 제3 양자 우물 패턴을 형성하는 것; 상기 제1 양자 우물 패턴과 상기 제2 양자 우물 패턴 사이 및, 상기 제2 양자 우물 패턴 및 상기 제3 양자 우물 패턴 사이에 각각 제1 패시브 광 도파로 패턴 및 제2 패시브 광 도파로 패턴를 형성하는 것; 및상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들 상에 상부 클래드 막을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 양자 우물, 상기 제1 패시브 광 도파로, 상기 제2 양자 우물, 상기 제2 패시브 광 도파로, 및 상기 제3 양자 우물은 상기 하부 클래드 막의 상면에 평행한 제1 방향으로 배열되는 파장 가변 레이저 장치의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들을 형성하는 공정 수행 전, 상기 하부 클래드 막 상에 격자 패턴들을 형성하는 것; 및상기 하부 클래드 막 상에 스페이서 막을 형성하여, 상기 격자 패턴들을 덮는 것을 포함하는 더 포함하되,상기 스페이서 막은 상기 제1 방향으로 연장하는 파장 가변 레이저 장치의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 양자 우물 패턴을 형성하는 것은:상기 스페이서 막 상에, 상기 제1 방향으로 연장하는 제1 예비 양자 우물 막을 형성하는 것; 및상기 제1 예비 양자 우물 막을 패터닝하는 것을 포함하는 파장 가변 레이저 장치의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제2 및 제3 양자 우물 패턴들을 형성하는 것은:상기 스페이서 막 상에, 상기 제1 방향으로 연장하는 제2 예비 양자 우물 막을 형성하는 것; 및상기 제2 예비 양자 우물 막을 패터닝하는 것을 포함하는 파장 가변 레이저 장치의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제1 패시브 광 도파로 패턴 및 상기 제2 패시브 광 도파로 패턴을 형성하는 것은:상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들 및 상기 스페이서 막 상에 예비 광 도파로 막을 형성하는 것; 및상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들 상에 형성된 상기 예비 광 도파로 막을 제거하여, 상기 제1 내지 제3 양자 우물 패턴들의 상면들을 노출하는 것을 포함하는 파장 가변 레이저 장치의 제조 방법
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