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실리콘 나노 피라미드 광전극

  • 기술번호 : KST2019010049
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상부에 나노 피라미드 구조가 형성된 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판 상부에 형성된 촉매층;을 포함하여 이루어지며, 상기 나노 피라미드는 개수 기준 80% 이상이 300nm 내지 700nm의 폭(가장 긴 폭 기준)을 갖고, 가시광범위에서의 광흡수가 65% 이상이며, Si-포토다이오드 표준셀을 사용하여 광전류 스펙트럼 측정시 10 mA/cm2에서의 산소 발생 반응(OER, Oxygen-Evolution-Reaction) 과전압이 550mV 내지 600mV 범위내인 실리콘 나노 피라미드 광전극을 제공한다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C09K 13/04 (2006.01.01) C25B 1/02 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01) C25B 11/0405(2013.01)
출원번호/일자 1020170173107 (2017.12.15)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0072062 (2019.06.25) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 광주광역시 광산구
2 박민준 광주광역시 광산구
3 지홍섭 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1251867-91
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0186151-75
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0087867-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0316626-44
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0668741-51
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0787644-33
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0900795-93
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1003060-37
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2019.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0158594-55
11 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1122050-94
12 [출원서 등 보완]보정서
2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1122051-39
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1122048-02
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1122049-47
15 보정요구서
Request for Amendment
2020.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0192404-64
16 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0276617-83
17 등록결정서
Decision to grant
2020.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0396790-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판을 준비하는 단계;질산은을 포함하는 혼합 수용액을 이용하여 실리콘 기판의 표면에 은(Ag) 나노입자를 형성하는 단계;은(Ag) 나노입자의 촉매작용하에 에칭용액으로 실리콘 기판을 등방성 에칭하여 나노 기공을 형성하는 단계; 상기 은(Ag) 나노입자를 제거하는 단계; 및이방성 에칭하여 나노기공을 나노피라미드로 변형시키는 단계; 및나노피라미드가 형성된 실리콘 기판에 15 내지 25 nm 두께의 NiOx층을 형성하여 수전해 촉매층을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지고,상기 실리콘 기판에 은 나노입자를 형성한 후, 나노기공을 형성하는 단계는, 실리콘 기판을 4M 내지 6M의 불산과 0
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제1항에 있어서,상기 실리콘 기판을 준비하는 단계는, 003c#100003e#으로 오리엔트되고, 저항이 1 내지 3 Ω 범위내이고 두께가 150 내지 250μm인 n형의 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;30 내지 60 중량% 농도의 수산화칼륨 용액으로 60 내지 90℃에서 30분 내지 120분간 에칭하여 15 내지 25μm 두께의 실리콘 웨이퍼 기판을 얻는 단계; 및실리콘 웨이퍼 기판을 세정한 다음, 3 내지 10 중량% 농도의 불화수소산(HF) 용액에 침지하는 단계;를 포함하는 실리콘 나노 피라미드 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서,가시광범위에서의 광흡수가 65% 이상이며, Si-포토다이오드 표준셀을 사용하여 광전류 스펙트럼 측정시 10 mA/cm2에서의 산소 발생 반응(OER, Oxygen-Evolution-Reaction) 과전압이 550mV 내지 600mV 범위내인 실리콘 나노 피라미드 광전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획재정부 한국생산기술연구원 생산기술산업원천기술개발사업 - 청정생산시스템기술 연구개발사업 태양에너지 기반 산화-환원 동시반응을 이용한 이산화탄소의 자원화 요소기술 개발