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하기 화학식1의 화합물:[화학식1]상기 화학식1에서, 상기 X1 및 X2는 서로 같거나 다르며, 각각 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수6 내지 20의 아릴기이고, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며, 각각 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르복시기(-COOH); 탄소수 1 내지 20의 알킬 카르복실레이트기; 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬 카르복실레이트기; 탄소수 6 내지 20의 아릴 카르복실레이트기; 에테르기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환 된 탄소수 1 내지 20의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 20의 헤테로아릴기이고,상기 R3, R4, R5 및 R6는 서로 같거나 다르며, 각각 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴옥시기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수6 내지 20의 아릴기이고, 상기 R3 및 R4는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 20의 지환족 고리 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 고리를 형성할 수 있고, 상기 R5 및 R6는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 20의 지환족 고리 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 고리를 형성할 수 있고, 상기 Ar1은 탄소수 6 내지 30의 방향족 2가 작용기이고, 상기 Y1은 카르복실기(COOH), 에테르기(-O-) 또는 에스터(-COO-)를 함유한 작용기이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식1에서, 상기 X1 및 X2는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기;이고, 상기 R1 및 R2는 각각 카르복시기(-COOH); 탄소수 1 내지 20의 알킬 카르복실레이트기; 탄소수 4 내지 20의 사이클로알킬 카르복실레이트기; 탄소수 6 내지 20의 아릴 카르복실레이트기;이고, 상기 R3 및 R4는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 20의 지환족 단환 또는 복수환이나 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 단환 또는 복수환을 형성하고, 상기 R5 및 R6는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 20의 지환족 단환 또는 복수환이나 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 단환 또는 복수환을 형성하고,상기 Ar1은 탄소수 6 내지 20의 방향족 2가 작용기이고,상기 Y1은 하기 화학식2의 작용기인, 화합물:[화학식2]상기 화학식2에서, Y2는 에테르기 또는 에스터이고, Ar2는 탄소수 1 내지 20의 지방족 작용기 또는 할로겐기가 1이상 치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 작용기이다
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제1항에 있어서, 상기 화학식1의 화합물은 하기 화학식 3 내지 5로 이루어진 군에서 선택된 1종의 화합물을 포함하는, 화합물:[화학식 3][화학식4][화학식5]상기 화학식 3 내지 5에서, 상기 R11 및 R12는 각각 수소, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 2 내 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐기이고, 상기 X1 및 X2는 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기;이고, 상기 R30 및 R60은 각각 할로겐기; 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이고, 상기 m 및 n은 각각 상기 R30 및 R60가 방향족 고리 또는 지방족 고리에 치환되는 숫자이며, 화학식 3 및 5에서는 1 내지 4이고, 화학식 4에서는 1 내지 3이며, 상기 Ar3는 할로겐기가 1이상 치환된 탄소수 6 내지 20의 방향족 고리이다
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고분자 매트릭스 또는 이의 전구체; 청구항 1의 화합물을 포함하는 염료;광반응성 단량체; 및 광개시제;를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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제4항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 또는 이의 전구체는 1) 1이상의 이소시아네이트기를 포함한 화합물과 폴리올 간의 반응 생성물; 또는 2) 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트계 (공)중합체 및 실란 가교제를 포함하는 고분자 매트릭스;를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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제4항에 있어서, 상기 실란 가교제는 중량평균분자량이 100 내지 2000인 선형의 폴리에테르 주쇄 및 상기 주쇄의 말단 또는 분지쇄로 결합한 실란계 작용기를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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7
제4항에 있어서, 상기 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트계 (공)중합체는 실란계 작용기가 분지쇄에 위치하는 (메트)아크릴레이트 반복단위 및 (메트)아크릴레이트 반복단위를 포함하고, 100,000 내지 1,000,000의 중량평균분자량을 갖는, 포토폴리머 조성물
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8
제4항에 있어서, 상기 광반응성 단량체는 다관능 (메트)아크릴레이트 단량체, 또는 단관능 (메트)아크릴레이트 단량체를 포함하는, 포토폴리머 조성물
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9
제4항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 또는 이의 전구체 1 중량% 내지 80중량%; 상기 광반응성 단량체 1 중량% 내지 80중량%; 상기 염료 0
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10
제4항에 있어서, 상기 포토폴리머 조성물은 촉매, 포스페이트계 화합물 및 저굴절율 불소계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 홀로그램 기록 매체
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11
제10항에 있어서, 상기 저굴절율 불소계 화합물은 에테르기, 에스터기 및 아마이드기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기 및 2이상의 다이플루오로메틸렌기를 포함하는, 홀로그램 기록 매체
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12
제4항의 포토폴리머 조성물로부터 제조된 홀로그램 기록 매체
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13
제11항의 홀로그램 기록 매체를 포함한 광학 소자
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14
가간섭성 광원에 의해 제1항의 포토폴리머 조성물에 포함된 광반응성 단량체를 선택적으로 중합시키는 단계를 포함하는, 홀로그래픽 기록 방법
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