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이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019010112
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되는 CMOS 칩을 준비하는 단계, 상기 CMOS 칩의 하면에 GaAs 또는 GaN 공정으로 제작되는 화합물 반도체 칩을 준비하는 단계, 상기 CMOS 칩과 상기 화합물 반도체 칩을 플립칩 본딩으로 연결하는 단계 및 상기 화합물 반도체 칩의 하면에 인쇄 회로 기판을 배치하고, 상기 화합물 반도체 칩과 상기 인쇄 회로 기판을 와이어 본딩으로 연결하는 단계를 포함하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/56 (2006.01.01) H01L 21/8238 (2006.01.01) H01L 27/092 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01) H01L 21/563(2013.01)
출원번호/일자 1020170173198 (2017.12.15)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0072109 (2019.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.12.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정근 서울특별시 광진구
2 박정수 서울특별시 성북구
3 김진현 경기도 부천시 부흥로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1252429-85
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0000190-74
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0081631-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0079600-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0529712-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0935795-02
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0935796-47
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0049524-13
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번호 청구항
1 1
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정으로 제작되는 CMOS 칩을 준비하는 단계;상기 CMOS 칩의 하면에 GaAs 또는 GaN 공정으로 제작되는 화합물 반도체 칩을 준비하는 단계;상기 CMOS 칩과 상기 화합물 반도체 칩을 플립칩 본딩으로 연결하는 단계; 및상기 화합물 반도체 칩의 하면에 인쇄 회로 기판을 배치하고, 상기 화합물 반도체 칩과 상기 인쇄 회로 기판을 와이어 본딩으로 연결하는 단계를 포함하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 플립칩 본딩으로 연결하는 단계는,상기 CMOS 칩의 어느 일면에 형성되어 있는 인쇄 컨덕터 런에 스터드 범프를 부착하는 단계; 및상기 스터드 범프를 상기 화합물 반도체 칩의 어느 일면에 형성되어 있는 인쇄 컨덕터 런에 부착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 CMOS 칩은 SPI(Serial Peripherial Interface) 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 CMOS 칩은 감쇄 회로 또는 위상 천위 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 CMOS 칩은 BGR(Bandgap voltage Reference) 회로 또는 LDO(Low Drop Out) 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 화합물 반도체 칩은 파워 증폭(Power Amplifier; PA) 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 화합물 반도체 칩은 저잡음 증폭(Low Noise Amplifier; LNA) 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 반도체 플립칩 본딩을 이용한 고성능 송수신 모듈 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 광운대학교 산학협력단 방송통신산업기술개발 대학 ICT 기초연구실(RF 빔포밍 안테나 및 송수신기 다기능 MMIC 고도화 기술)