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브로콜리를 잘게 부순 후 탈이온수에 넣어 혼합하는 단계 ;브로콜리 용액을 열처리하는 단계 ; 및열처리된 브로콜리 용액을 원심분리하여 탄소 양자점을 수득하는 단계를 포함하는 브로콜리 탄소 양자점 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 열처리 단계는 하이드로써밀 장치(Hydrothermal reactor), 진공퍼니스 장치, 오토클레이브 장치, 전자렌지 장치, 초음파 장치, 감마선 장치, 전자선 장치, 이온빔 장치, 중성자빔 장치 및 자외선 장치 중에서 선택된 열처리 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 열처리 단계는 100~250℃에서 1~10시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점 제조방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따라 제조된 브로콜리 탄소 양자점
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제 4항에 있어서, 상기 탄소 양자점은 크기가 2~10nm 인 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점
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제 4항에 있어서, 상기 탄소 양자점은 표면에 아미노기와 카르복실기를 포함하는 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점
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제 1 항 내지 제 3항의 방법으로 브로콜리 탄소 양자점을 제조하는 단계 ;상기 브로콜리 탄소 양자점을 은을 포함하는 시료에 넣어 소정 시간 동안 반응시키는 단계 ; 자외선을 조사하여 발광세기를 검출하는 단계 ; 및검출된 발광세기로부터 은 농도를 산출하는 단계를 브로콜리 탄소 양자점을 이용한 은 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 반응단계는 상온과 상압에서 1분 ~ 30분 반응시키는 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점을 이용한 은 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 반응단계는 은 이온과 상기 브로콜리 탄소 양자점 표면의 아민기와 킬레이트 착화합물을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점을 이용한 은 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 은 농도 산출 단계는 기측정된 (은이 첨가되지 않은) 브로콜리 탄소 양자점 함유 용액의 발광세기(F0)를 불러오는 단계 ;검출 단계에서 측정된 발광세기(F)와 기 측정된 상기 발광세기(F0)를 이용하여 발광세기 변동값((F-F0)/F0)을 산출하는 단계 ;기 측정된 은 농도-발광세기 변동값((F-F0)/F0)의 그래프에 산출단계에서 계산된 발광세기 변동값을 입력하여 은 농도를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 브로콜리 탄소 양자점을 이용한 은 측정 방법
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따라 제조된 브로콜리 탄소 양자점과 광발광 측정장치를 포함하되, 미지의 은 이온 첨가에 따른 브로콜리 탄소 양자점의 발광세기 변동값((F-F0)/F0)으로부터 은 이온 농도를 검출하는 은 이온 검출 센서
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