| [KST2015137041][서울대학교] |
저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자 |
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| [KST2020007539][서울대학교] |
쓰기 동작 시 워드라인 전압을 조절할 수 있는 반도체 메모리 장치 |
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| [KST2022019479][서울대학교] |
쓰기 간섭 문제를 완화하는 상변화 메모리 모듈 |
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| [KST2022023315][서울대학교] |
인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 셀 어레이 |
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| [KST2020007519][서울대학교] |
무연 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리 |
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| [KST2020007514][서울대학교] |
비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2019004489][서울대학교] |
3차원 적층을 위한 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법 |
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| [KST2022001022][서울대학교] |
유무기 할라이드 페로브스카이트를 이용한 문턱전압 스위치 및 이의 제조방법 |
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| [KST2021001078][서울대학교] |
멀티 입력 기반의 저항 변화 메모리 소자 |
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| [KST2019006587][서울대학교] |
저항변화 메모리 소자 및 그 동작방법 |
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| [KST2017011582][서울대학교] |
ＣｒＰＳ4를 이용한 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법(Resistive switching memory devices based on ＣｒＰＳ4 materials, and manufacturing of the same) |
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| [KST2020016783][서울대학교] |
읽기 동작을 제어하는 제어회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
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| [KST2020000567][서울대학교] |
읽기 동작을 제어하는 제어회로를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
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| [KST2021000778][서울대학교] |
비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
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| [KST2019004155][서울대학교] |
저항변화 물질층을 가지는 비휘발성 메모리소자 |
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| [KST2019014385][서울대학교] |
선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
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| [KST2022018912][서울대학교] |
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 적용한 상변화 물질층의 형성 방법 및 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
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| [KST2021010856][서울대학교] |
비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
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| [KST2022000818][서울대학교] |
수직 배향 나노 구조의 할라이드 페로브스카이트 기반 뉴로모픽 멤리스터 소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2022019858][서울대학교] |
상변화 메모리 소자 |
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| [KST2021013014][서울대학교] |
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 적용한 상변화 물질층의 형성 방법 및 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
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| [KST2021013015][서울대학교] |
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 이용한 스위칭 소자의 형성 방법 및 메모리 소자의 제조 방법 |
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| [KST2019011660][서울대학교] |
터널링 절연막이 삽입된 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법 |
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| [KST2018009543][서울대학교] |
저항성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2019011789][서울대학교] |
다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
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| [KST2020007516][서울대학교] |
할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 비휘발성 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2022018913][서울대학교] |
원자층 증착 공정을 이용한 칼코게나이드계 박막의 형성 방법, 이를 이용한 스위칭 소자의 형성 방법 및 메모리 소자의 제조 방법 |
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| [KST2018000112][서울대학교] |
두 지점 전류 방식 감지를 이용하여 스닉 전류를 상쇄하는 크로스바 저항 메모리 및 그 읽기 방법(Crossbar RRAM with Sneak Current Cancellation Based on a Two-Port Current-Mode Sensing and Readout Method thereof) |
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| [KST2019011957][서울대학교] |
비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자 |
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| [KST2019011655][서울대학교] |
가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이들의 제조 방법 |
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