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HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 있어서, (a) 기판의 표면을 식각하는 단계; 및 (b) 상기 기판 상에 GaCl을 증착하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 450 ~ 650℃의 소스온도 및 450 ~ 500℃의 성장온도 조건으로 성막하여 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 성막시, 증착 가스는 HCl 5 ~ 30sccm 및 O2 100 ~ 400sccm 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어인 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 기판의 표면 식각은 3 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서상기 GaCl 증착은 5 ~ 10분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 소스온도는 470 ~ 550℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 성장온도는 450 ~ 490℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 α-Ga2O3 박막 형성은 5 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 α-Ga2O3 박막은 700 ~ 3,000nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성막은 상압조건의 압력으로 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항 내지 제6항, 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 의해 제조된 HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막
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