| 1 |
1
페로브스카이트형 구조의 금속 산화물; 및 상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 표면에 형성된 구리;를 포함하고,상기 구리는 상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 표면으로 용출되어 형성된 것이며,상기 구리는 0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물은 란타늄, 스트론튬 및 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물은 La0
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
유기 용매에 란타늄 전구체, 스트론튬 전구체, 티타늄 전구체 및 구리 전구체를 용해시킨 후 초음파를 조사하고 가열하여 혼합물을 제조하는 단계;상기 혼합물을 하소한 후 분쇄하여 입자를 제조하는 단계;상기 입자를 소결시키는 단계; 및상기 소결 후 환원 공정을 수행하여 상기 입자에 포함된 구리를 상기 입자의 표면으로 용출시키는 단계;를 포함하고,상기 구리 전구체는 상기 입자에 용출되는 구리가 0
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 란타늄 전구체는 La2O3, La(NO3)36H2O, LaOCl 및 LaCl3로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 스트론튬 전구체는 Sr(NO3)2, SrCO3 및 SrSO4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서,상기 티타늄 전구체는 TiO2, TiCl4 및 TiOCl2로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 9 |
9
제5항에 있어서,상기 구리 전구체는 Cu(NO3)2, CuCl2, CuCO3 및 Cu2SO4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제5항에 있어서,상기 초음파 조사는 10 ~ 60 kHz에서 1 ~ 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 12 |
12
제5항에 있어서,상기 하소는 1000 ~ 1200 ℃에서 6 ~ 12 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 13 |
13
제5항에 있어서,상기 소결은 1400 ~ 1500 ℃에서 5 ~ 10시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 14 |
14
제5항에 있어서,상기 환원 공정은 5 ~ 10 부피%의 H2 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 15 |
15
제5항에 있어서,상기 환원 공정은 2 ~ 3회로 수행되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 제조방법
|
| 16 |
16
이온 전도체 역할을 하는 고체 전해질;상기 고체 전해질의 상부면 및 하부면에 각각 구비되는 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 고체 전해질의 상부면에 구비되되, 외부 기체가 상기 고체 전해질로 유입되게 하는 확산 구멍을 포함하고 외부 기체가 확산되는 내부 공간을 갖는 가스 확산 장벽;을 포함하고,상기 제1 전극 및 제2 전극 중 적어도 하나는 구리가 도핑된 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물이며,상기 구리는 상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물의 표면으로 용출되어 형성된 것이고,상기 구리는 0
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물은 란타늄, 스트론튬 및 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 제한전류형 가스센서
|
| 18 |
18
제16항에 있어서,상기 페로브스카이트형 구조의 금속 산화물은 La0
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
제16항에 있어서,상기 제한전류형 가스센서는 650 ~ 800 ℃에서 제한전류 특성이 나타나는 것을 특징으로 하는 제한전류형 가스센서
|
