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비닐계 호모폴리머 및 이온성 액체를 포함하고, 결정질과 비정질의 분리된 상을 포함하는 물리 가교된 이온성 젤을 전해질로 포함하되, 상기 비닐계 호모폴리머는 상기 이온성 젤 총 중량 대비 10 내지 30 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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제1항에 있어서, 상기 비닐계 호모폴리머는 폴리 비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리비닐 플루오라이드 (PVF), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 및 폴리스티렌(PS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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제1항에 있어서, 상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 ([BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이온 성분으로 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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제1전류 컬렉터 상에 제1전극을 형성하는 단계;제2전류 컬렉터 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및제1전극과 제2전극 사이에 비닐계 호모폴리머 및 이온성 액체를 포함하고, 결정질과 비정질의 분리된 상을 포함하는 물리 가교된 이온성 젤을 위치시키는 단계를 포함하되,상기 비닐계 호모폴리머는 상기 이온성 젤 총 중량 대비 10 내지 30 중량%로 포함되는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 비닐계 호모폴리머는 폴리 비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 폴리비닐 플루오라이드 (PVF), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 및 폴리스티렌(PS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 ([BMI][TFSI]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 ([BMI][PF6]), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 ([BMI][BF4]), 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드 [BMPYR][TFSI], 1-부틸-1-메틸피롤리디늄 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트([BMPYR][FAP]), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(펜타플루오로에틸)트리플루오로포스페이트 [EMI][FAP], 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(플루오로설포닐)이미드([EMI][FSI]) 및 에틸-디메틸-프로필암모튬 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드([EDMPA][TFSI])로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 이온 성분으로 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 물리 가교된 이온성 젤은 비닐계 호모폴리머를 용매에 용해시키는 단계;이온성 액체의 이온 성분을 용매에 용해시키는 단계;상기 비닐계 호모폴리머가 용해된 용액과 이온성 액체의 이온 성분이 용해된 용액을 혼합하는 단계; 및혼합된 용액으로부터 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 물리 가교된 이온성 젤은비닐계 호모폴리머를 용매에 용해시키는 단계; 상기 비닐계 호모폴리머가 용해된 용액에 이온성 액체의 이온 성분을 용해시키는 단계; 및이온 성분을 용해시킨 용액으로부터 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 물리 가교된 이온성 젤을 위치시키는 단계는물리 가교된 이온성 젤을 스탬핑 전사하는 단계를 포함하되, 상기 스탬핑 전사하는 단계는 제조된 물리 가교된 이온성 젤을 스탬프에 코팅하는 단계;상기 코팅된 스탬프와 제1전극 또는 제2전극을 접촉시키는 단계;상기 스탬프에 코팅된 이온성 젤을 이의 녹는점 온도로 가열하여, 상기 이온성 젤 중 제1전극 또는 제2전극과 접촉한 부분을 녹여 상기 이온성 젤과 상기 제1전극 또는 제2전극의 접촉을 향상시키는 단계; 및상기 이온성 젤을 냉각시킨 후, 상기 제1전극 또는 제2전극으로부터 상기 스탬프를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 이온성 젤을 이의 녹는점 온도로 가열하는 단계는 상기 코팅된 스탬프와 접촉된 제1전극 또는 제2전극을 가열하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조방법
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