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n형의 도펀트로 도핑된 실리콘을 포함하는 제1 물질 층;상기 제1 물질 층 상에 배치되고, 분자식 VxOy로 표시되는 바나듐 산화물을 포함하는 제2 물질 층; 상기 제2 물질 층 상의 제1 전극; 및상기 제1 물질 층 또는 상기 제2 물질 층 상의 제2 전극을 포함하되,상기 제1 물질 층의 도펀트 농도는 1
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제2 물질 층 상에 배치되고, 상기 제1 전극과 이격되는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 제1 물질 층 상에 배치되는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서
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제1 항에 있어서,상기 제2 물질 층은 제1 파장의 전자파에 대하여 가장 높은 흡수 계수를 갖되, 상기 제1 파장은 100nm 내지 700nm 사이의 값을 갖는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서
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제1 항에 있어서,상기 제2 물질 층은 2μm 내지 20μm 파장의 전자파에 대하여 흡수 계수를 갖는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서
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6
차례로 적층된 제1 및 제2 물질 층들;상기 제1 및 제2 물질 층들 상의 전극들; 및상기 전극들과 연결되어 상기 제1 및 제2 물질 층들로부터 수신된 감지 신호를 증폭하는 증폭기를 포함하되,상기 제1 물질 층은 n형의 도펀트로 도핑된 실리콘을 포함하고, 상기 제1 물질 층의 도펀트 농도는 1
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제6 항에 있어서,상기 증폭기로부터 수신된 증폭된 감지 신호를 디지털 신호로 변환하는 디지털 변환기를 포함하는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 시스템
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8
제6 항에 있어서,상기 증폭기는 상기 제1 및 제2 물질 층들의 저항값을 측정하는 휘스톤 브릿지 및 상기 휘스톤 브릿지의 출력 전압을 증폭시키기 위한 차동 증폭기를 포함하는 산소 리치 바나듐산화물 전자파 센서 시스템
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