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시료와 접촉하도록 구성되며 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로층; 및상기 도파로층과 광학적으로 결합된 프리즘;을 포함하며,상기 도파로층은 나노 결정질 다이아몬드 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1 항에 있어서,상기 나노 결정질 다이아몬드 파우더의 입자 직경은 30 nm 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1 항에 있어서,상기 도파로층의 공극률은 0% 초과 70% 이하인 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 1 항에 있어서,상기 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서에 입사된 입사광에 의해 상기 도파로층에 정상파가 생성되는 상기 입사광의 입사 각도를 측정하도록 구성된 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 5 항에 있어서,상기 검출부는, 상기 입사광의 입사 각도를 변화시키면서 상기 입사광이 상기 도파로층과 상기 시료의 계면에서 반사된 반사광을 수신하며, 상기 반사광으로부터 반사도 딥(dip)이 발생하는 상기 입사 각도를 측정하는 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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제 5 항에 있어서,상기 입사광은 적외선 또는 가시광선인 것을 특징으로 하는 감쇠전반사형 도파로 모드 공진 센서
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기판 상에 나노 결정질 다이아몬드를 포함하는 시드 입자를 형성하는 단계; 상기 기판 및 필라멘트가 위치하는 반응 챔버에 원료 기체를 주입하는 단계;상기 기판을 가열하는 단계;상기 필라멘트를 가열하여 상기 원료 기체를 활성화시키는 단계;가열된 상기 필라멘트를 이용하여 상기 시드 입자와 상기 기판 사이의 정전기적 인력을 감소시킴으로써, 상기 시드 입자의 브라운 운동에 의해 상기 시드 입자를 상기 기판으로부터 분리하는 단계; 활성화된 상기 원료 기체를 이용하여, 상기 기판으로부터 분리된 상기 시드 입자 상에 나노 결정질 다이아몬드를 성장시키는 단계; 및상기 시드 입자를 상기 기판상에 석출시키는 단계;를 포함하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 시드 입자를 상기 기판으로부터 분리하는 단계는, 가열된 상기 필라멘트로부터 방출된 열전자에 의해 상기 기판 및 상기 시드 입자에 전하를 충전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 시드 입자는 복수 개의 시드 입자를 포함하며,상기 시드 입자를 상기 기판상에 석출시키는 단계는, 상기 복수 개의 시드 입자로 이루어지는 다공성층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 복수 개의 시드 입자로 이루어지는 다공성층을 형성하는 단계는, 공극률이 0% 초과 70% 이하인 다공성층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 복수 개의 시드 입자로 이루어지는 다공성층을 형성하는 단계는, 상기 기판의 온도, 상기 필라멘트와 상기 기판 사이의 거리 및 상기 원료 기체 내의 탄화수소의 비율 중 적어도 하나를 제어함으로써 상기 다공성층의 두께 또는 공극률을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계는, 상기 기판을 630 ℃ 미만의 온도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 결정질 다이아몬드로 이루어지는 다공성층 형태의 도파로의 제조 방법
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