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테트라알콕시실란을 가수분해하여 가수분해물을 얻는 단계; 및상기 가수분해물과 3관능성 실란을 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 전구체를 포함하는 도포용액을 제조하는 단계를 포함하는 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 테트라알콕시실란은 실리콘 테트라에톡사이드, 테트라에톡시 오쏘실리케이트, 실리콘 테트라메톡사이드, 테트라메톡시 오쏘실리케이트로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 가수분해물을 얻는 단계는 물, 알코올 및 촉매의 혼합용액에 테트라알콕시실란을 희석제로 희석한 적하용액을 적하하면서 교반하는 것인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 희석제는 메탄올, 에탄올, 부탄올, 톨루엔, 에테르, 벤젠, 헥산, 사이클로헥산, 다이메틸설폭사이드(DMSO), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 메틸이소부틸케톤(MIBK), 테트라하이드로퓨란(THF) 및 자일렌으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 물의 양은 테트라알콕시실란 1몰 기준 4몰 내지 10몰인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 촉매는 pH 5 내지 8인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 촉매의 양은 테트라알콕시실란에 대하여 0
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제 1항에 있어서,상기 가수분해의 반응온도는 5 내지 80℃인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 3관능성 실란은 트리알콕시실란, 트리클로로실란 및 실란트리올로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도포용액을 제조하는 단계는 영전하점(point of zero charge) 시점에서 3관능성 실란을 반응시키는 것인 SiO2 박막 형성용 재료의 제조방법
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제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 의해 제조된 SiO2 박막 형성용 재료를 사용하여 기판 상에 도포하고 경화하여 하기 화학식 2로 표시되는 박막을 얻는 것을 포함하는 SiO2 박막의 형성방법
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제 11항에 있어서,상기 기판은 금속, 유리, 및 플라스틱으로 이루어진 그룹에서 선택되는 것인 SiO2 박막의 형성방법
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제 11항에 있어서,상기 경화는 열경화, UV 경화 또는 UV/열 복합 경화인 SiO2 박막의 형성방법
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