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핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019010900
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화된 플러렌에 산화물 반도체를 화학적 결합 방법으로 핵-껍질 산화물 반도체-플러렌을 제조하고 이를 발광층으로 적용하여 발광소자를 제조함으로써, 플러렌의 밴드갭 조절 기능으로 인해 본래 산화물반도체 재료에서 나타나는 발광범위보다 더 긴 파장대의 발광이 나타나게 되므로 우수한 발광 특성을 가지는 핵-껍질 구조의 양자점을 이용한 발광소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150088584 (2015.06.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1633451-0000 (2016.06.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손동익 대한민국 전라북도 완주군
2 이규승 대한민국 전라북도 완주군
3 심재호 대한민국 전라북도 완주군
4 김수민 대한민국 전라북도 완주군
5 안석훈 대한민국 전라북도 완주군
6 김명종 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0603713-88
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0868483-10
3 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0135342-87
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0135362-90
6 등록결정서
Decision to grant		 2016.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0438237-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속산화물 반도체의 나노입자 주위를 플러렌이 감싸고 있는 구조로써,상기 플러렌은 표면에 카르복실기, 하이드록시기 및 에폭시기 중 어느 하나 이상의 치환기를 포함하며,상기 금속산화물 반도체와 상기 플러렌의 치환기의 화학적 결합을 통하여 핵-껍질 구조로 이루어진 핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 발광층으로 포함하는 색 변환 발광소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물은 산화아연인 것을 특징으로 하는 색 변환 발광소자
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 플러렌은 C60 또는 C70의 플러렌인 것을 특징으로 하는 색 변환 발광소자
4 4
삭제
5 5
플러렌을 산처리를 하여 상기 플러렌의 표면에 카르복실기, 하이드록시기 및 에폭시기 중 어느 하나 이상의 치환기를 형성한 뒤, 금속산화물 전구체와 반응시켜 화학적 결합이 이루어지도록 함으로써 금속산화물 반도체를 핵으로 하고 플러렌을 껍질로 하는 핵-껍질 구조의 양자점을 제조하는 단계;기판 위에 정공주입층과 정공수송층을 형성하는 단계; 상기 정공수송층 위에 상기 양자점을 스핀코팅하여 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 위에 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 색 변환 발광소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
청구항 5에 있어서, 정공주입층은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)) 용액으로 코팅하여 형성하고, 정공수송층은 poly-TPD(poly[(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine)])을 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 색 변환 발광소자의 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 발광층 위에 전극을 형성시키는 단계에서는 발광층 위에 유도 쌍극자 고분자인 폴리에틸렌이민 에톡실레이트(PEIE)를 코팅하고 여기에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 색 변환 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.