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질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011069
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄탈륨 전구체를 포함하는 코팅용액의 에이징(aging) 처리를 통하여, 광촉매전극 성능이 최적화된 질화탄탈륨(Ta3N5)을 제조하고, 이를 질화탄탈륨 기반의 광전극에 응용하는 기술에 관한 것이다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) B01J 35/00 (2006.01.01) B01J 27/24 (2006.01.01) B05D 1/00 (2006.01.01) C09D 1/00 (2006.01.01) C09D 7/40 (2018.01.01) C25B 1/04 (2006.01.01)
CPC C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01) C25B 11/0442(2013.01)
출원번호/일자 1020160084869 (2016.07.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1728688-0000 (2017.04.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.05)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황윤정 대한민국 서울특별시 성북구
2 민병권 대한민국 서울특별시 성북구
3 주오심 대한민국 서울특별시 성북구
4 한성규 대한민국 서울특별시 성북구
5 채상윤 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0651249-08
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0650531-01
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0857572-52
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0020696-05
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0020717-76
6 등록결정서
Decision to grant
2017.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0263965-16
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번호 청구항
1 1
(a) 탄탈륨 전구체 용액, 유기바인더 및 유기용매를 혼합한 혼합용액을 에이징(aging) 처리하는 단계;(b) 상기 에이징 처리된 혼합용액을 기판 상에 코팅시켜 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 박막을 산화시키는 단계; 및 (d) 상기 산화된 박막을 질소화 처리하여 기판 상에 질화탄탈륨 박막이 코팅된 광전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법으로서,상기 에이징은 40-70 ℃에서 40 내지 80 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 탄탈륨 전구체 용액에 크롬 전구체, 망간 전구체, 코발트 전구체, 니켈 전구체, 로듐 전구체, 및 몰리브덴 전구체 중에서 선택되는 1종 이상의 전구체를 탄탈륨 전구체 대비 1-10 원자퍼센트로 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (c) 단계는 300-500 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계는 700-1000 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 탄탈륨 전구체의 형태는 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 질산염, 아질산염, 황산염, 아세트산염, 아황산염, 아세틸아세토네이트염 및 수산화물 중에서 선택되는 1종 이상의 형태인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 유기바인더는 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 메타크릴산에스테르, 아크릴산에스테르, 폴리비닐알콜 및 폴리비닐부티랄 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 유기용매는 알파-터피놀, 물, 아세톤, N-메틸-2-피롤리돈, N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디에틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, N,N'-디메틸아세트아미드, 이소프로필알코올, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 2-에톡시에탄올, 2-부톡시에탄올, 2-메톡시프로판올, 테트라하이드로퓨란(THF), 에틸렌글리콜, 피리딘, N-비닐피롤리돈, 메틸에틸케톤(부탄온), 포름산, 에틸아세테이트 및 아크릴로니트릴 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 기판의 재질은 탄탈륨, 석영, 알루미나 및 티타늄 중에서 선택되는 1종의 재질인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 질화탄탈륨 박막의 두께는 200-400 nm인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 질화탄탈륨 입자의 크기는 1-50 nm인 것을 특징으로 하는 질화탄탈륨 기반의 광전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 기후변화대응기술개발사업 인공광합성 디바이스용 화합물 반도체 박막 태양전지 기반 광전극 개발