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하부전극;상기 하부전극 상에 형성되고, 루타일 구조의 티타늄 산화물을 포함하는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성되는 상부전극을 포함하되,상기 하부전극 또는 상부전극은 루타일 구조를 갖는 루테늄 산화물(RuO2)과 이산화 주석(SnO2)이 5:1 내지 6:1 의 비율로 형성된 화합물을 갖는 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 상부전극 또는 상기 하부전극은, 불소(F), 탄탈늄(Ta), 안티몬(Sb), 니오비움(Nb) 중 하나 이상이 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 메모리 소자는, DRAM 커패시터인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
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기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;하부전극 상에 루타일 구조의 티타늄 산화물을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 하부전극 또는 상부전극은 루타일 구조를 갖는 루테늄 산화물(RuO2)과 이산화 주석(SnO2)이 5:1 내지 6:1 의 비율로 형성된 화합물을 갖는 반도체 메모리 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 하부전극을 형성하는 단계 또는 상기 상부전극을 형성하는 단계는,스퍼터링(sputtering), 원자층 증착법(ALD), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 분자빔증착법(Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD), 화학증착법(CVD) 중 적어도 하나를 이용하여 루테늄 산화물(RuO2)과 이산화 주석(SnO2) 화합물 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 하부전극을 형성하는 단계 또는 상기 상부전극을 형성하는 단계는,상기 이산화 주석에 불소(F), 탄탈늄(Ta), 안티몬(Sb), 니오비움(Nb) 중 하나 이상을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자 제조방법
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