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스핀 소자 내 나노 자성체의 자화 방향을 측정하는 방법으로서,상기 스핀 소자는,기판 상에 형성되는 전송채널;상기 전송채널 상에 형성되는 소스 전극; 및상기 전송채널 상에서 상기 소스 전극과 이격되어 형성되는 드레인 전극을 포함하고,적어도 두 축 방향의 외부 자기장을 인가하여 각각의 상기 외부 자기장에 수직한 평면상에서의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 자화 방향을 측정하며,상기 두 축은 상기 전송채널의 형성 방향과 평행한 x축과, 상기 x축에 수직하고 자화 용이축(magnetic easy axis)인 y축이고,x축 방향으로 인가한 외부 자기장에 수직한 y-z 평면상의 국부 자화 방향 및 y축 방향으로 인가한 외부 자기장에 수직한 x-z 평면상의 국부 자화 방향을 합하여 3차원 상에서의 자화 방향을 측정하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 비접촉 방법(non-local method)으로 측정되는 전압의 크기로서 상기 자화 방향을 측정하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제2항에 있어서, 상기 소스 전극으로부터 주입되고, 상기 전송채널에 의해 확산된 스핀 전자가 상기 드레인 전극의 자화 방향과의 상관 관계에 따라 출력하는 비접촉 전압으로부터 상기 자화 방향을 측정하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 전송채널은 x축 방향으로 연장 형성되고, y축 방향으로 절단된 단면이 삼각형이며,상기 소스 전극은 상기 전송채널과 교차되며, 상기 전송채널의 일부를 덮도록 형성되고,상기 드레인 전극은 상기 소스 전극과 이격되고 상기 전송채널과 교차되며, 상기 전송채널의 일부를 덮도록 형성되는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 전송채널은, 4족 반도체, 3-5 족 화합물 반도체, 금속 및 반금속(half metal) 중 하나 이상을 포함하는 나노선(nanowire)이거나, 카본나노튜브(carbon nanotube) 또는 그래핀(graphine)을 포함하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은,CoFe, Co, CoFeB, Ni, NiFe, GaMnAs, InMnAs, GeMn, GaMnN, GaMnP 및 ZnMnO 중 하나 이상의 강자성체를 포함하거나, La(1-x)SrxMnO3(LSMO) 또는 CrO2 중 하나의 반금속을 포함하거나, Pd/CoFe 다층구조 또는 Pt/CoPt 다층구조를 포함하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 전송채널 사이, 상기 드레인 전극과 상기 전송채널 사이 각각에 위치하는 중간막을 더 포함하는, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은 직사각형 형태를 가지고,상기 소스 전극의 y축 방향으로의 길이가 x축 방향으로의 길이보다 길고, 상기 드레인 전극의 y축 방향으로의 길이가 x축 방향으로의 길이보다 긴, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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제1항에서,상기 외부 자기장이 인가된 경우, 상기 소스 전극 중 상기 전송채널과 중첩된 부분의 자화 방향은 상기 외부 자기장의 방향과 평행하지 않은, 나노 자성체의 자화 방향 측정 방법
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