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기판 및 상기 기판 상에 배치되는 필름을 포함하여 특정 주파수의 전자기파를 증폭시키는 센싱 소자를 포함하되, 상기 센싱 소자는 직사각형 모양의 슬랏이 음각 패터닝 되거나 또는 직사각형 모양의 구조물이 양각 패터닝된 필름에 의하여 특정 주파수의 전자기파를 증폭시키고;상기 센싱 소자의 필름에 폭은 10nm~1μm, 두께는 100nm~1μm, 길이는 10μm~1mm으로 음각 패터닝된 슬랏 또는 양각 패터닝된 구조물 상에만 접촉하도록 배치되어 전기광학적 특성이 측정되는 박막; 및상기 센싱 소자에 의하여 증폭된 전자기파가 상기 박막을 통과하면서 발생하는 상기 박막의 전기광학적 특성을 기초로 상기 박막의 물성을 추출하는 전기광학적 특성 측정 서버를 포함하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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제1항에 있어서, 상기 슬랏 또는 구조물은상기 박막의 전기광학적 특성을 추출하기 위하여 이용되는 전자기파의 주파수에 따라 폭, 두께, 및 길이가 조절되는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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제1항에 있어서, 상기 전기광학적 특성 측정 서버는상기 증폭된 전자기파가 상기 박막에 대하여 광학적으로 투과하고 반사하는 투과 및 반사 신호를 기초로 투과율을 측정하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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제4항에 있어서, 상기 전기광학적 특성 측정 서버는상기 측정된 투과율을 기초로 상기 박막의 유전율을 산출하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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제5항에 있어서, 상기 전기광학적 특성 측정 서버는상기 유전율을 기초로 상기 박막의 물성에 해당하는 페르미 레벨, 전하 밀도, 또는 전하 이동도를 추출하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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제6항에 있어서, 상기 전기광학적 특성 측정 서버는상기 박막의 물성을 기초로 상기 박막에 대한 도핑수준 및 이온주입량을 판단하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템
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전기광학적 특성 비접촉식 측정 시스템에서 수행되는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법에 있어서,(a) 특정 주파수의 전자기파를 증폭시키는 센싱 소자에 의하여 증폭된 전자기파가 상기 센싱 소자 상에 배치된 박막을 통과하면서 발생하는 상기 박막의 전기광학적 특성을 측정하는 단계; 및(b) 상기 측정된 전기광학적 특성을 기초로 상기 박막의 물성을 추출하는 단계를 포함하되,상기 센싱 소자는, 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 필름을 포함하고, 직사각형 모양의 슬랏이 음각 패터닝 되거나 또는 직사각형 모양의 구조물이 양각 패터닝된 필름에 의하여 특정 주파수의 전자기파를 증폭시키고,상기 박막은 상기 센싱 소자의 필름에 폭은 10nm~1μm, 두께는 100nm~1μm, 길이는 10μm~1mm으로 음각 패터닝된 슬랏 또는 양각 패터닝된 구조물 상에만 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계는상기 증폭된 전자기파가 상기 박막에 대하여 광학적으로 투과하고 반사하는 투과 및 반사 신호를 기초로 투과율을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제9항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 측정된 투과율을 기초로 상기 박막의 유전율을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 유전율을 기초로 상기 박막의 물성에 해당하는 페르미 레벨, 전하 밀도, 또는 전하 이동도를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제11항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 박막의 물성을 기초로 상기 박막에 대한 도핑수준 및 이온주입량을 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제8항에 있어서, 상기 슬랏 또는 구조물은상기 박막의 전기광학적 특성을 추출하기 위하여 이용되는 전자기파의 주파수에 따라 폭, 두께, 및 길이가 조절되는 것을 특징으로 하는 전기광학적 특성 비접촉식 측정 방법
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제8항 내지 제12항, 및 제14항 중 어느 한 항의 방법을 컴퓨터로 실행시킬 수 있는 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체
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