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다이아몬드 양자노드와 이를 생성하는 방법 및 이에 따라 생성된 다이아몬드 양자노드를 제어하는 방법과 장치

  • 기술번호 : KST2019011294
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드 양자노드와 이를 생성하는 방법 및 이에 따라 생성된 다이아몬드 양자노드를 제어하는 방법과 장치를 개시하고 있다. 본 발명의 일 실시예는, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심 및 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되는 다이아몬드 양자노드를 제공한다. 본 발명에 따르면, 다이아몬드 결정에 질소 이온을 주입하여 생성된 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 질소 불순물(P1 중심)의 전자스핀을 이용하여 사용 가능한 양자 메모리(핵스핀)의 개수를 늘릴 수 있다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/02 (2006.01.01) H01L 43/12 (2006.01.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020170139403 (2017.10.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1958929-0000 (2019.03.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상윤 서울특별시 성북구
2 백서영 서울특별시 성북구
3 문성욱 서울특별시 성북구
4 한상욱 서울특별시 성북구
5 김용수 서울특별시 성북구
6 조영욱 서울특별시 성북구
7 김일영 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1055951-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2018-0013555-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0730282-07
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1305934-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0091527-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0194814-56
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0194813-11
9 등록결정서
Decision to grant
2019.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0158900-98
10 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5017756-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다이아몬드에 질소 이온을 주입하여 형성되는 NV 중심과 NV 중심으로 생성되지 못한 채 남게 되는 질소 불순물을 이용하여 형성되는 다이아몬드 양자노드에 있어서, 전자스핀과 핵스핀을 포함하는 NV 중심; 및전자스핀과 핵스핀을 포함하는 질소 불순물을 포함하고,상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간 자기 쌍극자 상호작용에 의해 형성되며, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간의 자기 쌍극자 상호작용에 의해 이온 주입된 질소이온 중 NV중심으로 변환되지 못한 상기 질소불순물을 이용하여 사용 가능한 핵스핀의 개수를 늘리게 위해 결합된 상태인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드
2 2
제1항에 있어서,상기 다이아몬드 양자노드는,하나의 상기 NV 중심과, 상기 하나의 상기 NV 중심과 인접한 하나 이상의 상기 질소 불순물이 결합된 형태인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드
3 3
제1항에 있어서,상기 다이아몬드 양자노드는,하나의 상기 질소 불순물과, 상기 하나의 상기 질소 불순물과 인접한 하나 이상의 상기 NV 중심이 결합된 형태인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드
4 4
제1항에 따른 다이아몬드 양자노드의 상기 질소 불순물의 스핀 상태 측정, 상기 질소 불순물과 상호작용하는 핵스핀의 스핀 상태 측정 및 상기 다이아몬드 양자노드의 스핀 상태 측정 중 적어도 어느 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 제어 장치
5 5
다이아몬드에 질소 이온을 주입하여 NV 중심과 질소 불순물(P1 중심)을 형성하는 질소 이온 주입 단계; 및 상기 질소 이온 주입 단계에 의해 생성된 NV 중심 및 질소 불순물간 자기 쌍극자 상호작용이 진행되어, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간의 자기 쌍극자 상호작용에 의해 이온 주입된 질소이온 중 NV중심으로 변환되지 못한 상기 질소불순물을 이용하여 사용 가능한 핵스핀의 개수를 늘리게 위해 결합된 상태인 NV-P1 쌍 형태의 다이아몬드 양자노드가 형성되는 상호작용 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 생성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 질소 이온 주입 단계는,상기 다이아몬드 상에 나노 단위의 구멍이 형성된 특정 두께의 마스크를 형성하는 과정과 상기 질소 이온을 상기 다이아몬드에 주입하는 질소 주입 과정을 통해 원하는 위치에 상기 NV 중심 및 상기 질소 불순물을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 생성 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 NV 중심 및 상기 질소 불순물은 각각 전자스핀과 양자 메모리에 해당하는 핵스핀을 포함하며,상기 자기 쌍극자 상호작용은 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 사이에 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 생성 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 NV-P1 쌍은, 하나의 NV 중심과 상기 하나의 NV 중심에 인접한 하나 이상의 질소 불순물의 자기 쌍극자 상호작용을 통해 생성된 NV-P1 쌍인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 생성 방법
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제5항에 있어서,상기 NV-P1 쌍은,하나의 질소 불순물과 상기 하나의 질소 불순물에 인접한 하나 이상의 NV 중심의 자기 쌍극자 상호작용을 통해 생성된 NV-P1 쌍인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 생성 방법
10 10
다이아몬드에 질소 이온을 주입하여 NV 중심과 질소 불순물(P1 중심)을 형성하는 질소 이온 주입 단계; 상기 질소 이온 주입 단계에 의해 생성된 NV 중심 및 질소 불순물간 자기 쌍극자 상호작용이 진행되어, 상기 NV 중심의 전자스핀과 상기 질소 불순물의 전자스핀 간의 자기 쌍극자 상호작용에 의해 이온 주입된 질소이온 중 NV중심으로 변환되지 못한 상기 질소불순물을 이용하여 사용 가능한 핵스핀의 개수를 늘리게 위해 결합된 상태인 NV-P1 쌍 형태의 다이아몬드 양자노드가 형성되는 상호작용 단계; 및상기 NV-P1 쌍의 스핀 상태를 측정하거나, 상기 NV-P1 쌍의 스핀 상태를 제어하는 제어 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 제어 방법
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제10항에 있어서,상기 제어 단계는,상기 질소 불순물의 스핀 상태 측정, 상기 질소 불순물과 상호작용하는 핵스핀의 스핀 상태 측정 및 상기 NV-P1 쌍의 스핀 상태 측정 중 적어도 어느 하나를 수행하는 단계인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 양자노드 제어 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.