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기판 상에 제1 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 패턴이 형성된 기판 상에 금속 박막을 증착시키는 단계;상기 금속 박막이 증착된 기판으로부터 상기 제1 패턴을 제거하여 상기 기판 상에 상기 금속 박막이 증착된 제2 패턴만 남기는 단계; 및 상기 제2 패턴이 형성된 상기 기판을 가열하여 비젖음(dewetting) 현상을 유발하여 금속 나노입자들을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제2 패턴은 상기 비젖음 현상에 의해 반(semi)-비(非)주기적 금속 나노 입자들로 형성되고,상기 반-비주기적 금속 나노 입자들은,전체적으로는 상기 제2 패턴으로서 상기 기판 상에 일정 형태의 패턴이 형성된 주기적인 패턴을 가지며, 상기 제2 패턴의 내부에서는 임의의 배열로 형성된 비주기적인 패턴을 가지고,상기 반-비주기적인 금속 나노 입자들이 배열된 광 도파로를 제작하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 단계는, 감광액을 상기 기판 상에 코팅하는 단계;상기 기판 상에 코팅된 감광액을 경화시키는 단계;마스크를 이용하여 상기 경화된 감광액의 일부를 1차 노광하여 상기 제1 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크를 제거한 상태에서 상기 제1 패턴 및 상기 감광액을 경화시키는 단계;상기 제1 패턴 및 상기 감광액을 2차 노광하는 단계; 및 상기 1차 노광 시 상기 마스크에 의해 광원에 노출되지 않은 상기 감광액을 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 감광액을 기판 상에 코팅하는 단계에서,상기 기판 상에 제1 용액을 도포한 후 상기 감광액을 도포하여 함께 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 용액은,메톡시 프로필 아세테이트(methoxy-propyl acetate) 용액인 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 감광액을 기판 상에 코팅하는 단계 및 상기 감광액을 경화시키는 단계 사이에서,아세톤을 이용하여 상기 기판 상에 코팅된 감광액의 가장자리 영역을 중앙 영역에 맞춰 제거하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 패턴을 형성하는 단계에서,350 nm 내지 450 nm 사이의 파장을 갖는 UV 광원을 이용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제2항에 있어서, 상기 감광액을 상기 기판으로부터 제거하는 단계에서,테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammoniμm hydroxide) 현상액을 이용하여 상기 감광액을 상기 기판으로부터 벗겨낸 후,탈 이온수를 이용하여 상기 기판 상에 남은 감광액을 제거하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 패턴을 제거하는 단계에서,초음파 발생기를 이용하여 상기 제1 패턴을 벗겨내는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자들을 형성하는 단계에서,가열된 튜브 전기로 또는 가열판을 이용하여 가열하는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제10항에 있어서, 상기 금속 나노입자들의 크기 및 입자간 거리는, 가열 시간, 상기 금속 박막의 두께 및 상기 기판의 표면 상태에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자들 각각은,300nm 이하의 반지름을 가지는 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은, 은, 금, 백금, 알루미늄, 철, 아연, 구리, 주석, 청동, 황동, 니켈 중 어느 하나의 금속으로 형성되는 박막인 것을 특징으로 하는 광대역 근적외선 표면 플라즈모닉 광도파로의 제작 방법
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