맞춤기술찾기

이전대상기술

가변구조형 PUF 장치 및 그의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2019011334
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항변화 메모리의 장점인 높은 집적도와 빠른 읽기/쓰기를 그대로 유지하고 저항변화 전압값의 편차를 이용하는 가변구조형 PUF 장치 및 그의 동작 방법을 제시한다. 제시된 가변구조형 PUF 장치는 저항변화 메모리 단위 셀이 어레이되어 있는 저항변화 메모리 어레이, 및 제 1 가변구조 명령을 근거로 저항변화 메모리 단위 셀을 HRS 저항상태로 초기화시킨 후 셋 전압을 인가하고 제 2 가변구조 명령을 근거로 저항변화 메모리 단위 셀을 LRS 저항상태로 초기화시킨 후 리셋 전압을 인가하는 저항변화 메모리 컨트롤러를 포함한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) G11C 7/20 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020140080707 (2014.06.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1566949-0000 (2015.11.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.30)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김문석 대한민국 대전광역시 유성구
2 유상경 대한민국 대전광역시 유성구
3 류석 대한민국 대전광역시 유성구
4 이봉수 대한민국 대전광역시 유성구
5 강준기 대한민국 대전광역시 유성구
6 이상한 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0612398-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089046-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 등록결정서
Decision to grant
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0751316-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항변화 메모리 단위 셀이 어레이되어 있는 저항변화 메모리 어레이; 및제 1 가변구조 명령을 근거로 상기 저항변화 메모리 단위 셀을 제 1 저항상태로 초기화시킨 후 셋 전압을 인가하고, 제 2 가변구조 명령을 근거로 상기 저항변화 메모리 단위 셀을 제 2 저항상태로 초기화시킨 후 리셋 전압을 인가하는 저항변화 메모리 컨트롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 저항변화 메모리 컨트롤러는 상기 셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값을 상기 셋 전압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
3 3
청구항 2에 있어서,상기 셋 전압은 2V ~ 4
4 4
청구항 1에 있어서,상기 셋 전압은 상기 제 1 저항상태에서 상기 제 2 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
5 5
청구항 1에 있어서,상기 저항변화 메모리 컨트롤러는 상기 리셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값을 상기 리셋 전압으로 설정하는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
6 6
청구항 1에 있어서,상기 리셋 전압은 상기 제 2 저항상태에서 상기 제 1 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
7 7
청구항 1에 있어서,상기 저항변화 메모리 어레이는 상기 제 1 가변구조 명령을 근거로 초기화된 이후에 상기 셋 전압에 따른 상태값을 가지되, 상기 상태값은 상기 제 1 가변구조 명령에 의한 초기화 이후에 상기 셋 전압이 인가될 때마다 이전의 상태값과는 상이한 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
8 8
청구항 1에 있어서,상기 저항변화 메모리 어레이는 상기 제 2 가변구조 명령을 근거로 초기화된 이후에 상기 리셋 전압에 따른 상태값을 가지되, 상기 상태값은 상기 제 2 가변구조 명령에 의한 초기화 이후에 상기 리셋 전압이 인가될 때마다 이전의 상태값과는 상이한 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치
10 10
저항변화 메모리 컨트롤러가, 제 1 가변구조 명령을 수신하는 단계;상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 상기 제 1 가변구조 명령을 근거로 저항변화 메모리 어레이내의 저항변화 메모리 단위 셀을 제 1 저항상태로 초기화시키는 단계; 및상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 상기 초기화된 저항변화 메모리 단위 셀에게 셋 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 셋 전압은 상기 셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 셋 전압은 2V ~ 4
13 13
청구항 10에 있어서,상기 셋 전압은 상기 제 1 저항상태에서 제 2 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
15 15
청구항 10에 있어서,상기 제 1 가변구조 명령을 수신하는 단계와 상기 초기화시키는 단계 및 상기 셋 전압을 인가하는 단계는 반복되고,상기 제 1 가변구조 명령을 수신하는 단계와 상기 초기화시키는 단계 및 상기 셋 전압을 인가하는 단계가 반복될 때마다 상기 저항변화 메모리 어레이의 상태값은 이전의 상태값과는 상이한 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
16 16
저항변화 메모리 컨트롤러가, 제 2 가변구조 명령을 수신하는 단계;상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 상기 제 2 가변구조 명령을 근거로 저항변화 메모리 어레이내의 저항변화 메모리 단위 셀을 제 2 저항상태로 초기화시키는 단계; 및상기 저항변화 메모리 컨트롤러가, 상기 초기화된 저항변화 메모리 단위 셀에게 리셋 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 리셋 전압은 상기 리셋 전압의 산포의 중간값 또는 평균값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
18 18
청구항 16에 있어서,상기 리셋 전압은 상기 제 2 저항상태에서 제 1 저항상태로 변화하기 위한 전압인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
19 19
청구항 18에 있어서,상기 제 1 저항상태는 저항값이 큰 상태(HRS)이고, 상기 제 2 저항상태는 저항값이 작은 상태(LRS)인 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
20 20
청구항 16에 있어서,상기 제 2 가변구조 명령을 수신하는 단계와 상기 초기화시키는 단계 및 상기 리셋 전압을 인가하는 단계는 반복되고,상기 제 2 가변구조 명령을 수신하는 단계와 상기 초기화시키는 단계 및 상기 리셋 전압을 인가하는 단계가 반복될 때마다 상기 저항변화 메모리 어레이의 상태값은 이전의 상태값과는 상이한 것을 특징으로 하는 가변구조형 PUF 장치의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.