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제1 반도체층 및 제2 반도체층을 준비하는 단계(단계 1);방사성 동위원소를 포함하는 도금욕에 2 개의 전극 및 상기 2 개의 전극 사이에 금속 기판을 위치시키고, 전압을 가하여 금속 기판 양면에 방사성 동위원소를 증착시켜 금속 기판 양면에 방사성 동위원소층이 코팅된 베타선 발생부를 준비하는 단계(단계 2); 및상기 단계 1에서 준비된 제1 반도체층 및 제2 반도체층 사이에 상기 단계 2에서 준비된 베타선 발생부를 위치시키는 단계(단계 3);를 포함하는 베타 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 P형 불순물층과 N형 불순물층이 상호 접합된 P-N 접합이고, 상기 베타선 발생부는 제1 반도체층의 N형 불순물층 및 제2 반도체층의 N형 불순물층과 물리적으로 접촉된 것을 특징으로 하는 베타 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방사성 동위원소층은 니켈-63(Ni-63)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 베타 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기판은 니켈(Ni), 황동(brass), 티타늄-니켈(Ti-Ni) 합금 및 알루미늄(Al)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 베타 전지의 제조방법
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5
제1항에 있어서,상기 방사성 동위원소층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 단계 a의 방사성 동위원소의 농도는 0
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제1항에 있어서,상기 단계 a의 용매는 산 용매인 것을 특징으로 하는 베타 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a의 도금욕의 pH는 1
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제1항에 있어서,상기 단계 b의 증착은 1 mA 내지 100 mA의 전류를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 베타 전지의 제조방법
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제1 반도체층;제2 반도체층; 및상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 사이에 위치하고, 방사성 동위원소를 포함하는 도금욕에 2 개의 전극 및 상기 2 개의 전극 사이에 금속 기판을 위치시키고, 전압을 가하여 금속 기판 양면에 방사성 동위원소를 증착시키는 전기도금으로 제조되는 방사성 동위원소층이 양면에 코팅된 금속 기판을 포함하는 베타선 발생부;를 포함하는 베타 전지를 포함하는 베타 전지 모듈
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제1 반도체층;제2 반도체층; 및상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층 사이에 위치하고, 방사성 동위원소를 포함하는 도금욕에 2 개의 전극 및 상기 2 개의 전극 사이에 금속 기판을 위치시키고, 전압을 가하여 금속 기판 양면에 방사성 동위원소를 증착시키는 전기도금으로 제조되는 방사성 동위원소층이 양면에 코팅된 금속 기판을 포함하는 베타선 발생부;를 포함하는 샌드위치 구조를 통해 베타 전지의 에너지 전환 효율을 향상시키는 방법
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