| 1 |
1
투명 절연성 기판에 적어도 일부가 투명한 소재로 이루어진 지문인식 센서 어레이가 형성되어 지문 융선의 접촉에 따른 정전용량의 변화를 검출하는 정전용량 방식의 투명 지문인식 패널로서, 상기 지문인식 센서 어레이는,다수의 게이트 라인;상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 리드아웃 라인; 및,상기 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 리드아웃 라인의 교차점마다 대응되도록 배치된 센서 화소 전극을 갖는 다수의 센서 화소;를 포함하고,하나의 검출 타이밍에 어느 한 행의 센서 화소 및 상기 한 행과 상하로 인접한 행들을 포함하는 동시 검출 센서 그룹의 센서 화소 전극에 등전위를 형성한 상태로 상기 다수의 리드아웃 라인을 통해 검출한 정전용량 신호를 활용하여 상기 한 행의 센서 화소에 대한 지문 융선 접촉 여부를 나타내는 데이터를 획득하고,상기 동시 검출 센서 그룹은 검출 타이밍마다 센서 행 단위로 한 행씩 순차적으로 시프트(shift)되는,투명 지문인식 패널
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 동시 검출 센서 그룹은 3 이상의 홀수개 행의 센서 화소로 구성되는, 투명 지문인식 패널
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 한 행이 포함된 서로 다른 복수의 동시 검출 화소 그룹에 대해서 적어도 3번의 연속된 검출 타이밍에 검출된 정전용량신호들 중 순서가 가운데인 검출 타이밍에 검출된 정전용량 신호를 활용하여 상기 한 행에 대한 상기 데이터를 획득하는, 투명 지문인식 패널
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 한 행이 포함된 서로 다른 복수의 동시 검출 화소 그룹에 대해서 적어도 3번의 연속된 검출 타이밍에 검출된 복수의 정전용량 신호를 활용하여 상기 한 행에 대한 상기 데이터를 획득하는, 투명 지문인식 패널
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 복수의 정전용량 신호를 활용하되 순서가 가운데인 검출 타이밍에 검출된 신호에 가중치를 부여하여 상기 한 행에 대한 상기 데이터를 획득하는, 투명 지문인식 패널
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
투명 절연성 기판에 적어도 일부가 투명한 소재로 이루어진 지문인식 센서 어레이가 형성되어 지문 융선의 접촉에 따른 정전용량의 변화를 검출하는 정전용량 방식의 투명 지문인식 패널로서, 상기 지문인식 센서 어레이는,한 라인씩 순차적으로 구동되는 다수의 게이트 라인;상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 리드아웃 라인; 상기 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 리드아웃 라인의 교차점마다 대응되도록 배치된 적어도 하나의 센서 화소 전극을 갖는 다수의 센서 화소;각 센서 화소에 대응되는 게이트 라인의 게이트 온(On) 신호에 따라 홀딩 노드(Holding Node)에 작동 전위를 인가하는 스위치 트랜지스터; 상기 홀딩 노드에 그 게이트 전극이 연결되어 상기 작동 전위가 인가된 동안 온(On) 상태가 유지되며, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한쪽은 상기 센서 화소 전극과 연결되고 나머지 한쪽은 상기 리드아웃 라인에 연결된, 리드아웃 트랜지스터; 및,상기 홀딩 노드에 그 소스 및 드레인 전극 중 어느 한쪽이 연결되고, 그 게이트 전극은 상기 스위치 트랜지스터에 대응되는 게이트 라인을 포함하는 N개의 인접한 게이트 라인(N은 2이상의 자연수)에 속하지 않는 다른 라인에 연결되어 그 신호에 따라 상기 홀딩 노드의 전위를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 를 포함하며,상기 홀딩 노드는 상기 스위치 트랜지스터에 의해 작동 전위가 인가된 때부터 상기 리셋 트랜지스터에 의해 리셋되기 전까지 상기 작동 전위를 유지하는, 투명 지문인식 패널
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 스위치 트랜지스터에 대응되는 게이트 라인으로부터 N번째(N은 2이상의 자연수)인 게이트 라인에 연결되어, 상기 스위치 트랜지스터에 대응되는 게이트 라인의 게이트 신호에 따라 상기 홀딩 노드에 상기 작동 전위가 인가되면, 상기 한 게이트 라인으로부터 N번째인 게이트 라인에 게이트 온 신호가 인가될 때까지 상기 홀딩 노드의 작동 전위가 유지되도록 구성된,투명 지문인식 패널
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 홀딩 노드에 인가된 작동 전위가 유지되는 동안 상기 센서 화소 전극으로부터 상기 다수의 리드아웃 라인을 통해 N번 정전용량 신호를 검출하는, 투명 지문인식 패널
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서, 상기 다수의 센서 화소의 각 행마다 상기 게이트 라인과 평행하게 형성되고, 상기 각 행에 속한 센서 화소의 리셋 트랜지스터들과 연결된, 리셋 라인을 더 포함하고, 상기 각 행에 대응되는 게이트 라인으로부터 N번째인 게이트 라인과 상기 리셋 라인이 서로 연결된, 투명 지문인식 패널
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
디스플레이 패널; 및, 상기 디스플레이 패널 상에 중첩되게 배치된 투명 지문인식 패널; 을 포함하고, 상기 투명 지문인식 패널은, 상기 디스플레이 패널 보호용 커버 글라스의 어느 한 면에 지문인식 센서 어레이가 형성되어 지문 융선의 접촉에 따른 정전용량의 변화를 검출하는 정전용량 방식의 투명 지문인식 패널로서, 상기 지문인식 센서 어레이는, 다수의 게이트 라인; 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 리드아웃 라인; 상기 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 리드아웃 라인의 교차점마다 대응되도록 배치된 적어도 하나의 센서 화소 전극을 갖는 다수의 센서 화소; 각 센서 화소에 대응되는 게이트 라인의 게이트 온(On) 신호에 따라 홀딩 노드(Holding Node)에 작동 전위를 인가하는 스위치 트랜지스터; 상기 홀딩 노드에 그 게이트 전극이 연결되어 상기 작동 전위가 인가된 동안 온(On) 상태가 유지되며, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한쪽은 상기 센서 화소 전극과 연결되고 나머지 한쪽은 상기 리드아웃 라인에 연결된, 리드아웃 트랜지스터; 및,상기 홀딩 노드에 그 소스 및 드레인 전극 중 어느 한쪽이 연결되고, 그 게이트 전극은 상기 스위치 트랜지스터에 대응되는 게이트 라인을 포함하는 N개의 인접한 게이트 라인(N은 2이상의 자연수)에 속하지 않는 다른 라인에 연결되어 그 신호에 따라 상기 홀딩 노드의 전위를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 를 포함하며,상기 홀딩 노드는 상기 스위치 트랜지스터에 의해 작동 전위가 인가된 때부터 상기 리셋 트랜지스터에 의해 리셋되기 전까지 상기 작동 전위를 유지하는, 지문인식 디스플레이 장치
|
