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전력 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019011475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 이온주입 영역 및 이온주입 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 가드링 영역을 형성하는 것, 기판 상에 이온주입 영역 및 가드링 영역을 덮는 제1 절연막을 형성하는 것, 제1 절연막을 열처리하는 것 및 제1 절연막 상에 제1 절연막 보다 두꺼운 제2 절연막을 형성하는 것을 포함하되, 기판은 실리콘 카바이드를 포함하고, 열처리는 질소(N) 원소를 포함하는 가스를 이용하여 수행되는 전력 반도체 소자의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/225 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020170086652 (2017.07.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0006146 (2019.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노태문 대한민국 대전시 유성구
2 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
3 김상기 대한민국 대전시 유성구
4 임병원 대한민국 대전시 서구
5 박건식 대한민국 대전시 유성구
6 박종문 대한민국 대전시 유성구
7 유성욱 대한민국 대구시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0653675-15
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0891470-58
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0891471-04
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.12.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0005359-73
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0619924-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1196679-72
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1196680-18
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번호 청구항
1 1
기판의 상부에 이온주입 영역 및 상기 이온주입 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 가드링 영역을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 이온주입 영역 및 상기 가드링 영역을 덮는 제1 절연막을 형성하는 것;상기 제1 절연막을 열처리하는 것; 및상기 제1 절연막 상에 상기 제1 절연막 보다 두꺼운 제2 절연막을 형성하는 것을 포함하되,상기 기판은 실리콘 카바이드를 포함하고, 상기 열처리는 질소(N) 원소를 포함하는 가스를 이용하여 수행되는 전력 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광전자 주식회사 ICT R＆D 바우처사업 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 개발