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피막이 형성된 부재의 후처리 방법

  • 기술번호 : KST2019011566
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 적어도 일면 상에 전기전도체 피막이 형성된 부재에 압력을 가하면서 상기 피막으로 고주파 직류펄스를 인가하여 상기 피막을 가열하는 단계;를 포함하고, 상기 압력을 가하는 방향은 상기 피막이 형성된 층의 법선벡터 방향의 성분을 가지는, 피막이 형성된 부재의 후처리 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 4/18 (2006.01.01) C23C 4/126 (2016.01.01) C23C 4/129 (2016.01.01) C23C 4/134 (2016.01.01) C23C 4/08 (2016.01.01)
CPC C23C 4/18(2013.01) C23C 4/18(2013.01) C23C 4/18(2013.01) C23C 4/18(2013.01) C23C 4/18(2013.01)
출원번호/일자 1020150014407 (2015.01.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1625004-0000 (2016.05.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한흥남 대한민국 서울특별시 강남구
2 이유정 대한민국 세종특별자치시 도움*로 *
3 성현민 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0100520-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0775662-27
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1156747-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1287438-25
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1287417-77
8 등록결정서
Decision to grant
2016.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0354707-10
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0755842-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 적어도 일면 상에 전기전도체 피막이 형성된 부재에 압력을 가하면서 상기 피막으로 고주파 직류펄스를 인가하여 상기 피막을 가열하는 단계;를 포함하고,상기 압력을 가하는 방향은 상기 피막이 형성된 층의 법선벡터 방향의 성분을 가지고,상기 기판은 그라파이트를 포함하고,상기 피막은 텅스텐을 포함하고,상기 가열하는 단계에서, 상기 고주파 펄스 전류는 최대 4000A, 20㎑이고, 50A/㎟ 내지 최대 250A/㎟ 전류밀도를 가지고,상기 가열하는 단계에서, 상기 압력은 20 MPa 내지 40 MPa의 범위이고, 상기 가열하는 단계는 900℃ 내지 1100℃ 의 온도로 승온되는, 피막이 형성된 부재의 후처리 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 피막은 용사법에 의해 형성된 것인,피막이 형성된 부재의 후처리 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 용사법은 가스식 용사법(Gas Flame Thermal Spray), 전기식 용사법(Arc Thermal Spray), 상압 플라즈마 용사법(Plasma Thermal Spray), 폭발 용사법(Detonation Thermal Spray), 진공 플라즈마 용사법(Vacuum Plasma Spraying) 및 고속화염 용사법(High Velocity Oxy-Fuel Spraying) 중 적어도 어느 하나를 이용하는,피막이 형성된 부재의 후처리 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 고주파 직류펄스를 인가하기 위한 전극 중 어느 하나는 기판과 접촉되고 나머지 하나는 상기 피막에 인가되도록 배치된,피막이 형성된 부재의 후처리 방법
8 8
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160222501 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016222501 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 선도연구센터 지원사업 플라즈마 조사에 따른 대면제의 물성변화 이해기반 구축 [2단계/3차년도]
2 미래창조과학부 서울대학교 선도연구센터 지원사업 전략 구조소재 신공정 설계 연구센터