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전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011719
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 산화물 기판에 전이금속 이황화물 전구체 용액을 스핀코팅시킨 후 열분해시키고 냉각시켜 전이금속 이황화물 코팅층을 형성시키는 단계; 상기 전이금속 이황화물 코팅층 위에 폴리머 물질을 스핀코팅시킨 후 에칭공정으로 상기 산화물 기판을 제거하는 단계; 및 상기 폴리머가 코팅된 전이금속 이황화물 코팅층을 p형 반도체 위에 전사한 후 상기 폴리머를 제거하는 단계;를 포함하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/02 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC C25B 11/0447(2013.01) C25B 11/0447(2013.01) C25B 11/0447(2013.01) C25B 11/0447(2013.01)
출원번호/일자 1020150180230 (2015.12.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1709021-0000 (2017.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 서울시 관악구
2 김수영 대한민국 서울시 금천구
3 권기창 대한민국 수원시 권선구 권선동 공군
4 최석훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1234404-53
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0576106-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0964803-45
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0964802-00
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0105330-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 기판에 전이금속 이황화물 전구체 용액을 스핀코팅시킨 후 열분해시키고 냉각시켜 전이금속 이황화물 코팅층을 형성시키는 단계;상기 전이금속 이황화물 코팅층 위에 폴리머 물질을 스핀코팅시킨 후 에칭공정으로 상기 산화물 기판을 제거하는 단계; 및 상기 폴리머가 코팅된 전이금속 이황화물 코팅층을 p형 반도체 위에 전사한 후 상기 폴리머를 제거하는 단계;를 포함하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화물 기판은 SiO2 또는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 전구체 용액은 에틸렌 글리콜에 (NH4)2MoS4가 용해된 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 전구체 용액에서의 (NH4)2MoS4 농도는 100 ~ 200 mM인 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 열분해는 질소 및 수소 가스를 공급한 상태에서 450 ~ 550 ℃에서 30분 동안 가열한 후 수소 및 황 분위기 900 ~ 1000 ℃에서 1시간 동안 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 냉각은 질소 및 수소 분위기에서 10 ~ 15 ℃/분의 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 전이금속 이황화물 코팅층의 두께는 13 ~ 19 nm인 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 폴리머는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰(PES), 폴리이미드(PI) 및 폴리아크릴로니트릴(PAN)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 에칭은 불화수소(HF)와 플루오로화암모늄(NH4F)의 혼합용액으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 p형 반도체는 p-InP, p-GaAs 및 p-GaP로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
11 11
제1항 또는 제8항에 있어서,상기 전사는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리스티렌(PS)을 합성된 MoS2 박막 위에 스핀코팅한 후 기판의 산화막을 불화수소와 플루오르화암모늄의 혼합용액으로 에칭한 후 막을 세척하고, 상기 p형 반도체에 전사한 후 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 폴리스티렌(PS)을 제거하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
12 12
제1항에 있어서,상기 폴리머 제거는 40 ~ 60 ℃로 가열한 후 아세톤으로 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극의 제조방법
13 13
p형 반도체; 및 상기 p형 반도체 상부에 형성된 MoS2 층;을 포함하는 전기화학적 수소생산용 광전극에 있어서,상기 광전극은,산화물 기판에 전이금속 이황화물 전구체 용액을 스핀코팅시킨 후 열분해시키고 냉각시켜 전이금속 이황화물 코팅층을 형성시킨 다음, 상기 전이금속 이황화물 코팅층 위에 폴리머 물질을 스핀코팅시킨 후 에칭공정으로 상기 산화물 기판을 제거한 다음, 상기 폴리머가 코팅된 전이금속 이황화물 코팅층을 p형 반도체 위에 전사한 후 상기 폴리머를 제거하여 제조되고,상기 MoS2 층의 두께는 13 ~ 19 nm이고,상기 MoS2 층은 수직 성장된 c-플레인(c-plane) 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 수소생산용 광전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 삼성미래기술육성센터 서울대학교 산학협력단 민간(기업)재단_삼성미래기술육성사업 [1차년도]대면적 단일원자층 PN접합 기반 자가활성 태양광 물분해 광전극 개발