맞춤기술찾기

이전대상기술

가역적 역자기열 효과를 보이는 호이슬러 합금 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011722
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가역적 역자기열 효과를 보이는 호이슬러 합금 및 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 3d 전이금속을 소량 치환하여 역자기열 효과의 작동온도 제어가 가능하고, 큰 자기 엔트로피 변화(ΔSM)를 보일 뿐만 아니라 20 K 이하의 작은 열-히스테리시스 거동을 통해 넓은 온도 범위에서 지속가능한 큰 역자기열 효과를 보이는 Ni-Mn 계 호이슬러 신합금 및 제조방법에 관한 것이다.부연하면, 높은 자화율과 작은 열-히스테리시스를 갖는 Ni45Co5Mn40Sn10 조성을 바탕으로, e/a 비를 고려하여 3d 전이금속인 Ti, V, Cr을 Ni에 치환해 최외각 전자 밀도를 줄여 첨가량에 따른 상변화 온도를 상온 이하의 넓은 온도 범위 (5 K - 400 K)에서 체계적으로 제어하였다. 또한 큰 자기 엔트로피 변화(ΔSM)와 20 K 이하의 열-히스테리시스를 첨가원소를 포함하는 경우에도 유지하여 큰 온도차를 유발하면서도 마르텐사이트 변태의 구동력이 작아 반복적 자기 싸이클 하에서도 지속가능한 일정량의 큰 가역적 역자기열 효과를 낼 수 있도록 하였다.본 발명에서 제조된 합금은 향후 설계될 자기 냉각기에 에너지 교환 매개체로 직접적으로 적용될 수 있을 뿐만 아니라 본 발명의 합금설계 및 제조 방법을 응용하여 새로운 자기열 물질을 개발하고 특성을 제어하는데 사용할 수 있다.
Int. CL C22C 30/04 (2006.01.01) C22C 19/00 (2006.01.01) C22C 19/03 (2006.01.01) C22F 1/10 (2006.01.01)
CPC C22C 30/04(2013.01) C22C 30/04(2013.01) C22C 30/04(2013.01) C22C 30/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150184952 (2015.12.23)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1741926-0000 (2017.05.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.23)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박은수 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 김상준 대한민국 대구광역시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강문호 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ** (반포동) 우주빌딩 *층(다민특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1263814-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0047176-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0134054-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0394476-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0394445-78
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0315857-36
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0451430-65
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0451455-06
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0356007-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
고온에서 L21의 호이슬러 결정 구조를 가지며 마르텐사이트 상변화를 보이는 자기열 물질으로서,Ni45-xTixCo5Mn40Sn10 (0003c#x≤3 at
4 4
고온에서 L21의 호이슬러 결정 구조를 가지며 마르텐사이트 상변화를 보이는 자기열 물질으로서,Ni45-xVxCo5Mn40Sn10 (0003c#x≤3 at
5 5
고온에서 L21의 호이슬러 결정 구조를 가지며 마르텐사이트 상변화를 보이는 자기열 물질으로서,Ni45-xCrxCo5Mn40Sn10 (0003c#x≤3 at
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.