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단결정 실리콘 기판의 일면에 형성되는 45도 각도의 경사면을 가지는 제1홈과;단결정 실리콘 기판의 타면에 형성되는 45도 각도의 경사면을 가지는 제2홈을;포함하여 이루어지되,인접한 제1홈의 경사면과 제2홈의 경사면에 의해 단결정 실리콘 기판에 대해 수직한 방향으로 입사되는 광이 투과광과 반사광으로 광 분리되는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터
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제 1 항에 있어서,상기 제1홈과 제2홈에 의해 45도 각도를 가진 특정 두께의 대향면이 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터
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제 2 항에 있어서,상기 대향면이:입사광의 일부는 입사광과 수평한 방향으로 투과하고, 입사광의 일부는 입사광과 수직한 방향으로 반사하는 하프 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터
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단결정 실리콘 기판의 양면에 습식 식각 마스크 물질을 증착하는 단계와;상기 단결정 실리콘 기판 양면 각각에 습식 식각 마스크를 형성하는 단계와;습식 식각액을 이용하여 이방성 습식 식각을 수행하여 단결정 실리콘 기판 양면 각각에 45도 각도의 경사면을 가지는 제1홈과 제2홈을 형성하는 단계를;포함하여 이루어지되,인접한 제1홈의 경사면과 제2홈의 경사면에 의해 단결정 실리콘 기판에 대해 수직한 방향으로 입사되는 광이 투과광과 반사광으로 광 분리되는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 제1홈과 제2홈을 형성하는 단계에서:제1홈과 제2홈 형성 후, 단결정 실리콘 기판 양면으로부터 습식 식각 마스크를 제거하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 습식 식각 마스크 물질을 증착하는 단계에서:습식 식각 마스크 물질로 실리콘 질화막 또는 산화막을 증착하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 습식 식각 마스크를 형성하는 단계에서:포토리소그래피와 이온성 습식 식각 공정을 이용해 단결정 실리콘 기판 양면 각각에 습식 식각 마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이크로 빔 스플리터의 제조방법
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단결정 실리콘 기판의 일면에 형성되는 45도 각도의 경사면을 가지는 복수의 제1홈과, 단결정 실리콘 기판의 타면에 형성되는 45도 각도의 경사면을 가지는 복수의 제2홈을 포함하는 마이크로 빔 스플리터와;상기 마이크로 빔 스플리터로 광을 입사하는 광원과;상기 마이크로 빔 스플리터에 의해 분리된 입사광과 수평한 방향으로 투과된 광의 경로와, 입사광과 수직한 방향으로 반사된 광의 경로 차이에 의한 광 간섭을 검출하는 광검출기를;포함하여 이루어지되,어느 하나의 인접한 제1홈의 경사면과 제2홈의 경사면에 의해 단결정 실리콘 기판에 대해 수직한 방향으로 입사되는 광이 투과광과 반사광으로 광 분리되는 것을 특징으로 하는 초소형 마이켈슨 간섭계
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제 8 항에 있어서,상기 마이크로 빔 스플리터가:상기 복수의 제1홈과 제2홈에 의해 형성되는 45도 각도를 가진 특정 두께의 대향면들 중 중앙의 대향면이 입사광의 일부를 입사광과 수평한 방향으로 투과하고, 입사광의 일부를 입사광과 수직한 방향으로 반사하는 하프 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이켈슨 간섭계
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제 9 항에 있어서,상기 복수의 제1홈과 제2홈에 의해 형성되는 45도 각도를 가진 특정 두께의 대향면들 중 중앙의 대향면 양측으로 각각 형성되는 두 대향면은 개구되어 광통로를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이켈슨 간섭계
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제 9 항에 있어서,상기 복수의 제1홈과 제2홈에 의해 형성되는 45도 각도를 가진 최외각의 두 경사면이 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이켈슨 간섭계
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제 11 항에 있어서,상기 초소형 마이켈슨 간섭계가:상기 복수의 제1홈과 제2홈에 의해 형성되는 45도 각도를 가진 특정 두께의 대향면들 중 중앙의 대향면에 의해 반사되고, 상기 복수의 제1홈과 제2홈에 의해 형성되는 45도 각도를 가진 최외각의 어느 하나의 경사면에 의해 반사된 광을 반대 방향으로 반사하는 고정 미러를;더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 마이켈슨 간섭계
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