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다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011789
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연성 기판; 상기 유연성 기판 상부에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상부에 적층되고, 페로브스카이트 구조로 형성되며 구동되는 전류의 제한에 따라 다중 저항을 갖는 유무기 박막층; 및 상기 박막층 상부에 형성된 상부전극;을 포함하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 따라서 메모리 소자에 다양한 곡률을 가질 수 있는 유연성을 부과하여 다양한 형태 및 크기를 가지는 메모리 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020160062638 (2016.05.23)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1782379-0000 (2017.09.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 서울시 관악구
2 남기태 대한민국 서울시 강남구
3 최재호 대한민국 서울시 관악구
4 박승학 대한민국 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0490039-39
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0303292-14
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0608963-15
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0608962-70
5 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0635323-95
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1319822-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연성 기판; 상기 유연성 기판 상부에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상부에 적층되고, 페로브스카이트 구조로 형성되며 구동되는 전류의 제한에 따라 다중 저항을 갖는 유무기 박막층;및 상기 박막층 상부에 형성된 상부전극;을 포함하고,상기 유무기 박막층은 인가되는 전류의 제한을 통하여 고저항 상태보다 낮은 저항값을 가지는 적어도 하나 이상의 저저항 상태로 가역적으로 전환되고,상기 인가되는 전류의 제한은 10-2, 10-4, 10-5 및 10-6 A로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나의 값으로 제한되는 것을 특징으로 하는, 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 하부 전극은 Pt, Au, Ir, W, 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 유무기 박막층은,유기물에 무기물 금속분자가 결합되어 페로브스카이트 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 유기물은,C1~C20의 알킬기 또는 아민기가 치환된 유기화합물인 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
5 5
제3항에 있어서상기 무기물 금속 분자는,Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Pb 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종과 F, Cl, Br, I, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이 결합된 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 유연성 기판은,금속포일, 유리 및 고분자 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 고분자 필름은,하드코팅 PET, 폴리이미드 및 씨클로 올레핀 폴리머(cyclo olefin polymer; COP) 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
유연성 기판을 준비하고, 상기 유연성 기판 상부에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극 상부에 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층을 형성한 이후에 열처리하는 단계; 및 상기 유무기 박막층 상부에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 상부전극을 형성한 이후에 구동 전류를 10-2, 10-4, 10-5 및 10-6 A로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나의 값으로 제한하여 상기 유무기 박막층이 다중 저항 특성을 나타내도록 하는 것을 특징으로 하는, 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 유연성 기판은 금속포일, 유리 및 고분자 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 하부전극을 형성한 이후에 페로브스카이트 구조를 가지는 유무기 박막층의 표면을 고르게 형성하기 위하여 톨루엔(toluene), 이소프로필알콜(iso-propyl alcohol) 및 아니솔(anisole)로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 유기용매를 상기 유무기 박막층에 적하하는 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 제조방법
13 13
삭제
14 14
제10항에 있어서,상기 열처리는 40 내지 250 ℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 저항 스위칭 특성을 가지는 유연성 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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