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표면 보호층이 형성된 리튬 음극 제조방법, 이에 따라 제조된 리튬 음극 및 이를 적용한 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2019011878
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 리튬 금속에 보호금속 전구체 용액을 도포하는 단계(단계 1); 및 상기 전구체 용액이 도포된 리튬 금속을 반응시켜, 표면에 리튬-보호금속 합금층을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는, 표면 보호층이 형성된 리튬 음극 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01M 4/1395 (2010.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 10/42 (2014.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01)
CPC H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01) H01M 4/1395(2013.01)
출원번호/일자 1020160150455 (2016.11.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1873729-0000 (2018.06.27)
공개번호/일자 10-2018-0053481 (2018.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20180704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강기석 대한민국 경기도 과천시
2 이명환 대한민국 강원도 속초시
3 어라파, 탐와타나 태국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-1105150-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0018594-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0100373-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0258799-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0258798-57
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0312736-30
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.06.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0561892-71
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0561891-25
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0429905-60
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리튬 금속에 주석 전구체 용액을 30 ㎛ 내지 50 ㎛ 두께로 도포하는 단계(단계 1); 및상기 전구체 용액이 도포된 리튬 금속을 25-100 ℃의 온도로 0
2 2
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3 3
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4 4
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5 5
삭제
6 6
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7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
주석 전구체 용액을 리튬 금속 상에 30 ㎛내지 50 ㎛의 두께로 도포 후 25-100 ℃의 온도로 0
10 10
삭제
11 11
제9항의 리튬 음극; 전해질; 및 양극을 포함하는 리튬 이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.