맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2019011957
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판; 기판 상부에 형성된 하부 전극; 하부 전극 상부에 형성되는 박막층; 및 박막층 상부에 형성된 상부 전극;을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자로서, 박막층은 제1 무기물 금속 분자, 제2 무기물 금속 분자 및 할라이드 분자가 결합되어 페로브스카이트 구조를 형성하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01) H01L 45/14(2013.01)
출원번호/일자 1020180009718 (2018.01.26)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1946468-0000 (2019.01.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.01.26)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장호원 서울특별시 관악구
2 한지수 경기도 안산시 상록구
3 최재호 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0091261-35
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0361690-66
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0739642-48
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0739643-94
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0778950-01
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.12.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1258060-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1258061-51
8 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0030106-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 하부 전극 Pt;상기 하부 전극 Pt 상부에 형성되는 박막층; 및상기 박막층 상부에 형성된 상부 전극 Au;을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자로서,상기 박막층은 제1 무기물 금속 분자 Tl, 제2 무기물 금속 분자 및 할라이드 분자가 결합되어 페로브스카이트 구조를 형성하고,상기 메모리 소자는 -160℃ 내지 100℃의 범위에서 10-2A 내지 10-7A의 전류 범위에서 저항 변화 스위칭이 발생하고, 상기 저항 변화 스위칭은, 상기 페로브스카이트 구조 내부의 결함의 이동으로 상기 페로브스카이트 구조의 저항이 변화하여 발현되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은, 실리콘, 금속 포일, 유리 및 고분자 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제2 무기물 금속 분자는, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Pb 및 Bi 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 할라이드 분자는, F, Cl, Br, I, S 및 Se 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 미래소재디스커버리지원 분자운동성 이온결정 소재 기반 멤리스터 제작 및 신뢰성 향상 기술 개발