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랜덤 방식으로 제 1 어레이내의 PUF 셀들과 제 2 어레이내의 PUF 셀들 간에 PUF 셀-쌍들을 조합하는 단계;상기 PUF 셀-쌍들 각각에 대하여, 물리적인 파라미터를 획득하는 단계;상기 획득된 파라미터에 기초하여, 제 1 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들을 선택하는 단계; 및상기 선택된 PUF 셀-쌍들을 재조합하는 단계를 포함하고,상기 재조합하는 단계는, 상기 선택된 PUF 셀-쌍내에서, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀과 상기 제 2 어레이의 PUF 셀들을 랜덤 방식으로 재조합하는 단계; 상기 랜덤 방식으로 재조합된 PUF 셀-쌍들에 대한 물리적인 파라미터를 획득하는 단계; 및상기 물리적인 파라미터에 기초하여, 상기 재조합된 PUF 셀-쌍들 중 제 2 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들과 상기 재조합 대상으로 선택되지 않은 적어도 하나의 PUF 셀-쌍을 재조합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 재조합 방법
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제 1항에 있어서, 상기 물리적인 파라미터는, 상기 PUF 셀 내부에 포함된 트랜지스터가 누설 전류에 의하여 턴-온 되는데 소요되는 시간 정보인 지연 시간 정보인 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 재조합 방법
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제 2항에 있어서, 상기 방법은, 상기 PUF 셀-쌍들에 대하여, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀의 지연 시간 정보와 상기 제 2 어레이의 PUF 셀의 지연 시간 정보를 비교하여 해당 PUF 셀-쌍의 고유 정보를 획득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 재조합 방법
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제 3항에 있어서, 상기 고유 정보를 획득하는 단계는, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀의 지연 시간이 상기 제 2 어레이의 PUF 셀의 지연 시간 보다 짧으면 해당 PUF 셀-쌍의 값을 '1'로 결정하고, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀의 지연 시간이 상기 제 2 어레이의 PUF 셀의 지연 시간 보다 길면 해당 PUF 셀-쌍의 값을 '0'으로 결정하거나, 그 반대인 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 재조합 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들을 선택하는 단계는 상기 PUF 셀-쌍의 지연 시간의 차이가 제1 임계 시간 이내이면 해당 PUF 셀-쌍은 제1 기준을 만족하지 못한 것으로 결정되는 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 재조합 방법
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제 1 트랜지스터;복수의 PUF 셀들을 포함하는 제 1 어레이;복수의 PUF 셀들을 포함하는 제 2 어레이; 및상기 제 1 어레이내의 상기 PUF 셀들과 상기 제 2 어레이내의 PUF 셀들간에 PUF 셀-쌍을 조합하고, 상기 조합된 PUF 셀-쌍내의 PUF 셀들간의 물리적인 파라미터를 비교하여 해당 PUF 셀-쌍이 나타내는 고유 정보를 생성하는 제어부를 포함하고, 상기 PUF 셀들은, 제 2 트랜지스터, 제 1 선택 신호에 따라 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자와 상기 제 2 트랜지스터의 드레인 단자를 선택적으로 연결하는 제 1 스위치를 포함하고,상기 제어부는 상기 물리적인 파라미터에 기초하여, 제 1 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들을 선택하고, 상기 선택된 PUF 셀-쌍들을 재조합하고,상기 PUF 셀-쌍들을 재조합은 상기 선택된 PUF 셀-쌍내에서, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀과 상기 제 2 어레이의 PUF 셀들을 랜덤 방식으로 재조합하고, 상기 랜덤 방식으로 재조합된 PUF 셀-쌍들에 대한 물리적인 파라미터를 획득하고,상기 물리적인 파라미터에 기초하여, 상기 재조합된 PUF 셀-쌍들 중 제 2 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들과 상기 재조합 대상으로 선택되지 않은 적어도 하나의 PUF 셀-쌍을 재조합하는 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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제 6항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 PUF 셀-쌍에 대하여, 제 1 어레이의 PUF 셀에 포함된 트랜지스터와 상기 제 2 어레이의 PUF 셀에 포함된 트랜지스터가 누설 전류에 의하여 턴-온 되는 시간을 비교하여 해당 PUF 셀-쌍이 나타내는 고유 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 PUF회로
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제 6항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터는, 상기 PUF 셀들이 공유하는 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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제 6항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터는 PMOS이고, 상기 제 2 트랜지스터는 NMOS인 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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제 9항에 있어서, 상기 제 1 스위치는, 상기 제 2 트랜지스터의 누설 전류보다 적은 누설 전류를 갖는 제 5 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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제 6항에 있어서, 상기 PUF 회로는, PUF 셀-쌍을 구성하는 상기 제 1 어레이의 PUF 셀의 출력 전압과 상기 제 2 어레이의 PUF 셀의 출력 전압을 비교하는 비교기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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제 11항에 있어서, 상기 비교기는, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀의 출력 전압이 신호 단자에 연결되고, 상기 제 2 어레이의 PUF 셀의 출력 전압이 클락 단자에 연결되는 플리-플랍을 포함하는 것을 특징으로 하는 PUF 회로
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랜덤 방식으로 제 1 어레이내의 PUF 셀들과 제 2 어레이내의 PUF 셀들 간에 PUF 셀-쌍들을 조합하는 조합부;상기 PUF 셀-쌍들 각각에 대하여, 물리적인 파라미터를 획득하는 파라미터 획득부;상기 획득된 파라미터에 기초하여, 제 1 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들을 선택하는 제어부; 및상기 선택된 PUF 셀-쌍들을 재조합하는 재조합부를 포함하고,상기 재조합부는 상기 선택된 PUF 셀-쌍내에서, 상기 제 1 어레이의 PUF 셀과 상기 제 2 어레이의 PUF 셀들을 랜덤 방식으로 재조합하고, 상기 랜덤 방식으로 재조합된 PUF 셀-쌍들에 대한 물리적인 파라미터를 획득하고,상기 물리적인 파라미터에 기초하여, 상기 재조합된 PUF 셀-쌍들 중 제 2 기준을 만족하지 못하는 PUF 셀-쌍들과 상기 재조합 대상으로 선택되지 않은 적어도 하나의 PUF 셀-쌍을 재조합하는 것을 특징으로 하는 PUF 셀-쌍 생성 장치
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