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SOI 기판의 복수의 구멍의 위치에 일차원 또는 이차원 배열된 광섬유 센서팁을 포함하고, 각각의 광섬유 센서팁은, 상기 복수의 구멍 각각의 위치에, 광섬유 라인을 결합하여 패브리페로 간섭계를 형성한 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 센서 어레이
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광 신호를 송수신하기 위한 제1광커플러;상기 제1광커플러에 광섬유를 통해 연결된 주센서로서, SOI 기판의 복수의 구멍의 위치에 일차원 또는 이차원 배열된 광섬유 센서팁을 포함하는 센서 어레이 형태로서, 각각의 광섬유 센서팁은, 상기 복수의 구멍 각각의 위치에, 광섬유 라인을 결합하여 패브리페로 간섭계를 형성한 구조를 포함하는 상기 주센서;상기 광섬유 라인을 통해 상기 제1광커플러를 거쳐 들어오는, 상기 주센서가 수신하는 반사파에 대해, 광전변환하는 제1검출기; 및상기 제1검출기로부터 출력되는 신호를 처리하여 초음파 영상을 출력하기 위한 신호를 생성하는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제2항에 있어서,제2광커플러;SOI 기판에 형성되어 상기 주센서 어레이의 패브리페로 간섭계 구조물과 동일한 구조의 센서 어레이를 갖는 보조센서;상기 제2광커플러와 상기 보조센서 사이에 포함된 광지연기; 및상기 광섬유 라인을 통해 상기 제2광커플러를 거쳐 들어오는, 상기 보조센서가 수신하는 반사파에 대해, 광전변환하는 제2검출기를 더 포함하고,상기 신호처리부는 제1검출기 및 상기 제2검출기로부터 출력되는 신호를 처리하여 초음파 영상을 출력하기 위한 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제3항에 있어서,상기 보조센서는 광신호의 위상이 속하는 위상 범위를 검출하며, 상기 주센서는 상기 위상 범위 내에서 광신호의 세부 위상을 검출하기 위한 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제2항에 있어서,상기 각각의 광섬유 센서팁의 상기 패브리페로 간섭계의 구조는,상기 SOI 기판의 기층부 실리콘, 절연막, 표면 실리콘을 관통하는 상기 복수의 구멍 각각의 위치에 형성되고, 상기 표면 실리콘의 개구 직경이 상기 기층부 실리콘의 개구 직경 보다 좁은 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제5항에 있어서,상기 기층부 실리콘의 개구 직경 보다 좁은 상기 표면 실리콘의 구멍이 에어 캐비티로 이용된 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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제2항에 있어서,상기 각각의 광섬유 센서팁의 상기 패브리페로 간섭계의 구조는,상기 기층부 실리콘의 개구에 결합된, 클래딩에 의해 코어가 감싸진 광섬유 단부에 형성된 제1미러, 상기 표면 실리콘의 구멍에 의해 형성된 상기 캐비티, 상기 캐비티를 덮도록 형성된 제2미러, 및 상기 제2미러 위에 형성된 멤브레인을 포함하는 것을 특징으로 하는 초음파 센서
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